[實(shí)用新型]波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件和發(fā)光器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721356220.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-10-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN207542274U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 古山忠仁;藤田俊輔 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日本電氣硝子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L33/50 | 分類號(hào): | H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;梁霄穎 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件 低折射率層 熒光體層 熒光體顆粒 凹凸結(jié)構(gòu) 玻璃基體 折射率 均方根斜率 發(fā)光器件 發(fā)光效率 反射功能 波紋度 表現(xiàn) | ||
1.一種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件,其包括:
熒光體層,其包括玻璃基體和分散在玻璃基體中的熒光體顆粒;和
低折射率層,其設(shè)置在所述熒光體層的表面,且折射率為所述熒光體顆粒的折射率以下,
所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件的特征在于:
所述低折射率層具有凹凸結(jié)構(gòu),該凹凸結(jié)構(gòu)的波紋度曲線的均方根斜率WΔq為0.1~1。
2.如權(quán)利要求1所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件,其特征在于:
通過(guò)沿著所述熒光體層的從所述玻璃基體表面凸出的所述熒光體顆粒設(shè)置所述低折射率層,將所述低折射率層形成為凹凸結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件,其特征在于:
所述低折射率層的算術(shù)平均粗糙度為3μm以下。
4.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件,其特征在于:
所述低折射率層由玻璃構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件,其特征在于:
所述低折射率層表面的露出有所述熒光體顆粒的面積的比率為15%以下。
6.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件,其特征在于:
所述熒光體顆粒的平均粒徑為10μm以上。
7.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件,其特征在于:
所述低折射率層的厚度為0.1mm以下。
8.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件,其特征在于:
所述熒光體層中的所述熒光體顆粒的含量為40~80體積%。
9.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件,其特征在于:
所述熒光體層與所述低折射率層的熱膨脹系數(shù)差為60×10-7/℃以下。
10.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件,其特征在于:
在所述熒光體層的兩面設(shè)置有所述低折射率層。
11.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件,其特征在于:
所述熒光體層的從表面起到深度20μm為止的范圍內(nèi)的空隙率為20%以下。
12.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件,其特征在于:
在所述低折射率層的表面設(shè)置有電介質(zhì)膜。
13.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件,其特征在于:
供投影儀使用。
14.一種發(fā)光器件,其特征在于,包括:
權(quán)利要求1~13中任一項(xiàng)所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件;和
對(duì)所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換部件照射具有激發(fā)所述熒光體顆粒的激發(fā)波長(zhǎng)的光的光源。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
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