[實(shí)用新型]蒸發(fā)源裝置以及濺射鍍膜設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721355789.8
• 申請日: 2017-10-20
• 公開（公告）號: CN207608619U
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐旻生;莊炳河;龔文志;李永杰;張亮;唐宇霖;張永勝;滿小花
• 申請（專利權(quán)）人: 愛發(fā)科豪威光電薄膜科技(深圳)有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 張全文

1.一種蒸發(fā)源裝置，與真空鍍膜室配合使用，包括具有蒸發(fā)腔的蒸發(fā)箱、置于所述蒸發(fā)腔內(nèi)的坩堝，所述坩堝開設(shè)有開口朝上設(shè)置并用于存放藥液的存藥腔，所述蒸發(fā)箱于其側(cè)壁開設(shè)于蒸發(fā)腔連通與所述真空鍍膜室對接的出料口，其特征在于，所述蒸發(fā)源裝置還包括用于驅(qū)動(dòng)所述坩堝以使所述坩堝在初始狀態(tài)和蒸鍍狀態(tài)之間切換的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述坩堝在初始狀態(tài)時(shí)所述存藥腔腔口朝上設(shè)置，而在所述蒸鍍狀態(tài)時(shí)所述存藥腔腔口朝向所述出料口設(shè)置。

2.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括與所述坩堝連接傳動(dòng)軸以及用于驅(qū)動(dòng)所述傳動(dòng)軸以帶動(dòng)所述坩堝在所述初始狀態(tài)和所述蒸鍍狀態(tài)之間切換的電機(jī)，所述電機(jī)固定于所述蒸發(fā)箱。

3.如權(quán)利要求2所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于，所述傳動(dòng)軸穿過一所述蒸發(fā)箱一箱壁，所述電機(jī)位于所述蒸發(fā)箱外側(cè)。

4.如權(quán)利要求3所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于，所述傳動(dòng)軸一轉(zhuǎn)動(dòng)端轉(zhuǎn)動(dòng)連接于所述蒸發(fā)箱另一箱壁。

5.如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于，所述蒸發(fā)源裝置包括用于連接所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和所述坩堝的給進(jìn)驅(qū)動(dòng)器，所述進(jìn)驅(qū)動(dòng)器在所述坩堝處于所述蒸鍍狀態(tài)時(shí)驅(qū)動(dòng)所述坩堝朝出料口運(yùn)動(dòng)以使所述坩堝抵靠所述蒸發(fā)腔腔壁。

6.如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于，所述蒸發(fā)箱包括真空放氣口、真空抽氣口以及供所述藥液送入的入料口；

所述蒸發(fā)源裝置包括設(shè)于所述出料口處并用于截?cái)嗷驅(qū)ㄋ稣舭l(fā)腔和所述真空鍍膜室的第一真空閥、設(shè)于所述入料口處并用于截?cái)嗷驅(qū)ㄋ稣舭l(fā)腔與外部的第二真空閥、設(shè)于所述真空放氣口處的真空放氣閥、設(shè)于所述真空抽氣口處的真空抽氣閥以及與所述真空抽氣閥連接并在所述真空放氣閥關(guān)閉、所述真空抽氣閥打開時(shí)用于將所述蒸發(fā)腔抽真空的真空泵。

7.如權(quán)利要求6所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于，所述蒸發(fā)源裝置包括送料組件，所述送料組件包括一出料管口的引料管、用于存放所述藥液的藥瓶、用于將所述藥液從所述藥瓶抽至所述引料管并直至所述藥液從所述出料管口溢出的柱塞泵以及用于驅(qū)動(dòng)所述引料管、所述藥瓶和所述柱塞泵一并運(yùn)動(dòng)且使所述出料管口經(jīng)所述入料口并到達(dá)所述存藥腔上方的送料驅(qū)動(dòng)器。

8.如權(quán)利要求6所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于，所述真空放氣閥和所述真空抽氣閥均位于所述蒸發(fā)箱外側(cè)。

9.如權(quán)利要求7所述的蒸發(fā)源裝置，其特征在于，所述出料口為從上往下布置的長條孔設(shè)置，所述坩堝和所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)至少設(shè)有兩對，一所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)一所述坩堝，各所述坩堝從上往下間隔布置，所述入料口至少設(shè)有兩個(gè)，所述送料組件設(shè)有兩個(gè)，一所述送料組件分布通過一所述入料口來給一所述坩堝供料。

10.一種濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)源裝置以及與所述蒸發(fā)源裝置配合使用的蒸鍍室。