[實用新型]一種CVD承重盤

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721350963.X
• 申請日: 2017-10-19
• 公開（公告）號: CN207418856U
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 白秋云
• 申請（專利權(quán)）人: 成都超純應(yīng)用材料有限責(zé)任公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/458
• 代理公司: 成都睿道專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51217
• 代理人: 薛波

本實用新型公開了一種CVD承重盤，包括進氣段、氣體處理段和出氣段，所述進氣段內(nèi)設(shè)置有多個漏斗狀進氣通道；所述氣體處理段包括氣體儲存腔室、氣體干燥腔室、氣壓調(diào)節(jié)腔室、用于連通氣體儲存腔室與氣體干燥腔室的第一通道和用于連通氣體干燥腔室與氣壓調(diào)節(jié)腔室的第二通道；所述出氣段包括一個漏斗狀出氣通道，所述漏斗狀出氣通道的出氣端設(shè)置有整流網(wǎng)。本實用新型的CVD承重盤，采用多段結(jié)構(gòu)，使得從CVD承重盤流入到反應(yīng)腔內(nèi)的氣體均勻分布，且不易受到外界影響，從而實現(xiàn)反應(yīng)腔內(nèi)各部位氣體的均勻性，最終使得CVD產(chǎn)品表面質(zhì)量得到明顯提高。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型屬于化學(xué)氣相沉積設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種CVD承重盤。

背景技術(shù)

在CVD(化學(xué)氣相沉積)中，氣場的均勻性對產(chǎn)品的質(zhì)量起到非常關(guān)鍵的作用，因此裝夾工裝在設(shè)計時，需要盡可能的保證CVD反應(yīng)爐中氣場均勻。設(shè)備自帶的承重盤(如圖1所示)，進氣口只有一個，進氣時相當(dāng)于一個大氣柱直接進入反應(yīng)腔，然后靠氣體自身擴散而實現(xiàn)均勻分布。對于擴散系數(shù)較低的氣源來說，這一設(shè)計無疑會導(dǎo)致反應(yīng)腔內(nèi)不同部位氣體含量不均勻的的情況，最終反應(yīng)到產(chǎn)品上，即為零件表面沉積厚度偏差較大，表面質(zhì)量嚴重下降。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于：針對上述存在的問題，提供了一種CVD承重盤，采用多段結(jié)構(gòu)，使得從CVD承重盤流入到反應(yīng)腔內(nèi)的氣體均勻分布，且不易受到外界影響，從而實現(xiàn)反應(yīng)腔內(nèi)各部位氣體的均勻性，最終使得CVD產(chǎn)品表面質(zhì)量得到明顯提高。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案為：本實用新型公開了一種包括進氣段、氣體處理段和出氣段，所述氣體處理段的兩端分別與進氣段和出氣段連接，所述進氣段內(nèi)設(shè)置有多個漏斗狀進氣通道，每個所述漏斗狀進氣通道的進氣端的截面面積大于漏斗狀進氣通道的出氣端的截面面積，每個所述漏斗狀進氣通道的出氣端均設(shè)置有第一氣體電磁閥；所述氣體處理段包括氣體儲存腔室、氣體干燥腔室、氣壓調(diào)節(jié)腔室、用于連通氣體儲存腔室與氣體干燥腔室的第一通道和用于連通氣體干燥腔室與氣壓調(diào)節(jié)腔室的第二通道，所述氣體儲存腔室與每個漏斗狀進氣通道的出氣端連通，所述第一通道內(nèi)設(shè)置有第二氣體電磁閥，所述第二通道內(nèi)設(shè)置有第三氣體電磁閥；所述出氣段包括一個漏斗狀出氣通道，所述漏斗狀出氣通道的出氣端的截面面積大于漏斗狀出氣通道的進氣端的截面面積，所述漏斗狀出氣通道的進氣端和氣壓調(diào)節(jié)腔室連通，所述漏斗狀出氣通道的出氣端設(shè)置有整流網(wǎng)。

優(yōu)選的是，所述氣體處理段的兩端設(shè)置有外螺紋，所述進氣段和出氣段的端面上均設(shè)置有與外螺紋相匹配的內(nèi)螺紋。

優(yōu)選的是，所述進氣段、氣體處理段和出氣段的側(cè)面上均涂覆有一層隔熱層。

優(yōu)選的是，所述漏斗狀進氣通道和漏斗狀出氣通道的內(nèi)壁上均涂覆有一層鈦合金耐腐蝕層；所述氣體儲存腔室、氣體干燥腔室、氣壓調(diào)節(jié)腔室、第一通道和第二通道的內(nèi)壁上均涂覆一層鈦合金耐腐蝕層。

優(yōu)選的是，所述氣體儲存腔室內(nèi)設(shè)置有與氣體流動方向垂直的金屬擾流片，其厚度為0.1mm-0.3mm,所述金屬擾流片的一端固定在氣體儲存腔室的內(nèi)壁上。

優(yōu)選的是，所述氣體干燥腔室內(nèi)設(shè)置有硅膠層和將硅膠固定在氣體干燥腔室內(nèi)的固定網(wǎng)。

優(yōu)選的是，所述氣壓調(diào)節(jié)腔室內(nèi)設(shè)置有金屬盤管，所述金屬盤管的進氣端與第二通道連通，所述金屬盤管的出氣端與漏斗狀出氣通道的進氣端連通，所述漏斗狀出氣通道的進氣端設(shè)置有第四氣體電磁閥。

由于采用了上述技術(shù)方案，本實用新型的有益效果是：

本實用新型的CVD承重盤分成三段，進氣段上設(shè)置有多個漏斗狀進氣通道，方便多種氣體進行化學(xué)沉積反應(yīng)，氣體處理段設(shè)置有氣體儲存腔室、氣體干燥腔室和氣壓調(diào)節(jié)腔室，對多種氣體進行混合、干燥和減壓，并且經(jīng)過出氣段的整流網(wǎng)進行整流，使得進入到反應(yīng)爐內(nèi)的氣體分布均勻，最終使得CVD產(chǎn)品表面質(zhì)量得到明顯提高。

附圖說明