[實用新型]MEMS 設備和微流體設備

有效

• 申請號: 201721350146.4
• 申請日: 2017-10-18
• 公開（公告）號: CN207483357U
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: D·朱斯蒂
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: B81B3/00
• 分類號: B81B3/00;B81B7/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;潘聰

1.一種MEMS設備，其特征在于，包括：

壓電致動器，包括壓電材料膜，所述膜包括多個通孔。

2.根據權利要求1所述的MEMS設備，其特征在于，其中所述壓電材料是PZT。

3.根據權利要求1所述的MEMS設備，其特征在于，其中所述膜的厚度介于0.2μm至28μm之間。

4.根據權利要求1所述的MEMS設備，其特征在于，其中所述通孔具有側壁，其中所述側壁被介電區域覆蓋。

5.根據權利要求1所述的MEMS設備，其特征在于，其中所述膜形成單層壓電結構。

6.根據權利要求1所述的MEMS設備，其特征在于，其中所述通孔占據的體積和等于沒有所述通孔的所述膜的參考區域的體積之間的比例在1％至20％的范圍內。

7.根據權利要求1所述的MEMS設備，其特征在于，其中所述通孔相對于所述膜的中心軸對稱地布置。

8.根據權利要求7所述的MEMS設備，其特征在于，其中所述通孔具有圓柱形形狀、并且以軸對稱的方式布置。

9.根據權利要求7所述的MEMS設備，其特征在于，其中所述通孔以中心對稱的方式布置。

10.根據權利要求1所述的MEMS設備，其特征在于，還包括第一電極和第二電極，所述膜插置在所述第一電極和第二電極之間，所述第一電極和第二電極彼此電分離。

11.根據權利要求1所述的MEMS設備，其特征在于，還包括半導體材料隔膜，其中所述膜被耦合至隔膜、并且被配置成使得所述隔膜變形。

12.根據權利要求11所述的MEMS設備，其特征在于，還包括：

流體容納室，部分地由所述隔膜界定；

流體接入通道，與所述流體容納室流體連接；以及

液滴發射通道，與所述流體容納室流體連接。

13.一種MEMS設備，其特征在于，包括：

第一電極和第二電極；

壓電膜，在所述第一電極和第二電極之間，所述壓電膜包括多個通孔。

14.根據權利要求13所述的MEMS設備，其特征在于，還包括所述壓電膜的表面上的介電層，其中所述第一電極包括多個通孔，所述介電層位于所述壓電膜的所述多個通孔和所述第一電極的所述多個通孔中。

15.根據權利要求13所述的MEMS設備，其特征在于，其中所述多個通孔將相同尺寸和形狀的所述壓電膜的體積減少10％至20％。

16.根據權利要求13所述的MEMS設備，其特征在于，其中所述多個通孔被成組布置，所述組沿著所述壓電膜的長度具有可重復圖案。

17.根據權利要求13所述的MEMS設備，其特征在于，其中所述MEMS設備是微流體設備、微鏡、或微型泵。

18.一種微流體設備，其特征在于，包括：

室，被配置成保持流體；

入口，與所述室流體連通；

出口，與所述室流體連通；

隔膜，界定所述室的一部分；

所述隔膜上的壓電致動器，所述壓電致動器包括壓電膜，所述壓電膜包括多個通孔，所述壓電致動器被配置成使得流體通過所述出口從所述室排出。

19.根據權利要求18所述的微流體設備，其特征在于，其中所述多個通孔被成組布置，所述組沿著所述壓電膜的長度重復。

20.根據權利要求18所述的微流體設備，其特征在于，其中所述多個通孔將相同尺寸和形狀的所述壓電膜的體積減少1％至20％。