[實用新型]用于電池片甩干時的臭氧氧化裝置有效
| 申請號: | 201721344098.8 | 申請日: | 2017-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN207265069U | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發明(設計)人: | 趙衛東;趙楓;趙雅;郭盼盼;楊冬琴;李永倉 | 申請(專利權)人: | 江蘇東鋆光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京中濟緯天專利代理有限公司11429 | 代理人: | 趙海波 |
| 地址: | 214421 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 電池 片甩干時 臭氧 氧化 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種新型的臭氧氧化工藝方式,在甩干機中通入臭氧,在甩干后利用臭氧氧化作用,在硅表面形成氧化層,起到抗PID作用,屬于太陽能光伏技術領域。
背景技術
隨著化石類一次能源的不斷枯竭,以及化石類能源的使用所帶來的環境、生態、氣候變化等一系列問題,低碳清潔的綠色能源已經成為發展大勢,光伏行業面臨良好的發展機遇,光伏市場不斷擴大。市場增長的同時,吸引越來越多的資本進入,使得產品競爭變的更加激烈,因此組件端對電池片轉換效率與質量的要求也在不斷提高,新技術的研發應用成為電池片企業的迫切需求。
PID是英文potential Induced Degradation的縮寫,指的是組件電勢誘導衰減。主要原因是組件在戶外多組串聯獲得高電壓,長期在高電壓作用下使得玻璃,封裝材料之間存在漏電流,大量電荷聚集在電池片表面,使電池表面的鈍化效果惡化,導致FF、Jsc、Voc降低,功率衰減。這種情況會造成組件最大功率減小,直接影響組件的發電效率,減低發電量,造成經濟損失。
確保電池片具有抗PID效果,是目前檢驗電池片產品質量的重要指標,當前主要通過在鍍Si3N4膜之前先在硅表面生長一層薄氧化層來實現抗PID效果。臭氧氧化工藝是目前應用最為廣泛的工藝方式,如何在現有設備基礎上引入臭氧氧化工藝,是電池片生產廠家必做的工藝改進。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是針對上述現有技術的弱點和隱患,提供一種用于電池片甩干時的臭氧氧化裝置,實現臭氧氧化工藝,使得生產電池片具有良好的抗PID效果。
本實用新型解決上述問題所采用的技術方案為:一種用于電池片甩干時的臭氧氧化裝置,它包括臭氧發生器、空氣壓縮機和制氮機,在現有的電池片甩干機上開設有臭氧進氣口、壓縮空氣進氣口、氮氣進氣口、排氣口和排水口,所述臭氧發生器的出氣口與甩干機上的臭氧進氣口相連,所述空氣壓縮機的出氣口與甩干機上的壓縮空氣進氣口相連,所述制氮機的出氣口與氮氣進氣口相連。
與現有技術相比,本實用新型的特點在于:
本實用新型在現有的甩干機內通入臭氧使得硅表面氧化形成氧化硅薄膜,達到有效的抗PID效果,不僅實現了產品質量的提升,同時有效的利用了產線設備,實現設備工藝的技術升級,相比較離線式設備的應用,減少了工序作業過程,降低成本。
附圖說明
圖1為本實用新型的結構示意圖。
其中:
臭氧發生器1、空氣壓縮機2、制氮機3、甩干機4、排氣口4.1、排水口4.2。
具體實施方式
以下結合實施例對本實用新型作進一步詳細描述。
如圖1所示,本實用新型涉及一種用于電池片甩干時的臭氧氧化裝置,包括臭氧發生器1、空氣壓縮機2和制氮機3,在現有的電池片甩干機4上開設有臭氧進氣口、壓縮空氣進氣口、氮氣進氣口、排氣口4.1和排水口4.2,所述臭氧發生器1的出氣口與甩干機4上的臭氧進氣口相連,所述空氣壓縮機2的出氣口與甩干機4上的壓縮空氣進氣口相連,所述制氮機3的出氣口與氮氣進氣口相連,利用臭氧發生器產生一定濃度的臭氧,在甩干機完成固定甩干作業后,將臭氧通入到甩干機密閉腔體內對硅片進行氧化。
所述的臭氧在通入腔體內過程中可以通過甩干機內部原加熱部件加熱,可提高氧化速率,縮短工藝時間;同時,甩干機密閉腔體可以確保通入的臭氧更加有效的利用,在硅片表面氧化生長出均勻的氧化硅薄層形成氧化硅薄膜。氧化工藝結束后可使用空氣泵通過排氣口將廢氣排除。
具體工藝過程如下:
放片——通氮氣甩干——通臭氧氧化——抽尾氣、充氮——取片。
甩干機經過改造后,在較小并且密封性良好的腔體內通入臭氧,可以使臭氧得到有效地利用,同時通入氣體經過甩干機加溫,進一步促進氧化層的形成,提高氧化層厚度,確保抗PID效果。
除上述實施例外,本實用新型還包括有其他實施方式,凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術方案,均應落入本實用新型權利要求的保護范圍之內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





