[實用新型]電阻值校準電路及應用其的半導體存儲器

有效

• 申請號: 201721337059.5
• 申請日: 2017-10-13
• 公開（公告）號: CN207217120U
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 賴榮欽
• 申請（專利權）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: G11C11/4096
• 分類號: G11C11/4096
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所11313
• 代理人: 張臻賢,由元

1.一種電阻值校準電路，包括相連接的第一被校準單元和參考電阻，所述參考電阻用于校準所述第一被校準單元的電阻值，其特征在于，所述參考電阻包括P+多晶硅電阻和N+多晶硅電阻。

2.根據權利要求1所述的電阻值校準電路，其特征在于，所述參考電阻包括所述P+多晶硅電阻和所述N+多晶硅電阻的串聯電阻。

3.根據權利要求2所述的電阻值校準電路，其特征在于，所述P+多晶硅電阻和所述N+多晶硅電阻的電阻值具有如下關系：

R_P×T_CP＝-R_N×T_CN，

其中，R_P為所述P+多晶硅電阻的電阻值，T_CP為所述P+多晶硅電阻的電阻溫度系數，R_N為所述N+多晶硅電阻的電阻值，T_CN為所述N+多晶硅電阻的電阻溫度系數。

4.根據權利要求1所述的電阻值校準電路，其特征在于，所述電阻值校準電路還包括控制器，連接于所述第一被校準單元，用于控制調整所述第一被校準單元的電阻值，使所述第一被校準單元的電阻值匹配于所述參考電阻的電阻值。

5.根據權利要求4所述的電阻值校準電路，其特征在于，所述第一被校準單元連接于第一電壓，所述參考電阻連接于第二電壓，所述第一被校準單元和所述參考電阻串聯在所述第一電壓和所述第二電壓之間，所述控制器用于控制調整所述第一被校準單元的電阻值，使所述第一被校準單元的電壓值等于所述參考電阻的電壓值。

6.根據權利要求5所述的電阻值校準電路，其特征在于，所述電阻值校準電路還包括比較器，所述比較器的輸入端分別連接于節點和所述參考電壓，所述比較器的輸出端連接于所述控制器，所述比較器用于比較所述節點的電壓值和所述參考電壓的電壓值，并輸出比較結果，其中，所述節點位于所述第一被校準單元與所述參考電阻之間的連接點，所述參考電壓的電壓值為所述第一電壓與所述第二電壓的電壓值之差；所述控制器用于根據所述比較結果控制調整所述第一被校準單元的電阻值。

7.根據權利要求4所述的電阻值校準電路，其特征在于，所述第一被校準單元包括多個金屬氧化物半導體晶體管的并聯電路，所述控制器控制調整所述第一被校準單元的電阻值包括控制所述金屬氧化物半導體晶體管的打開或關閉。

8.根據權利要求1至7任一項所述的電阻值校準電路，其特征在于，所述電阻值校準電路還包括第二被校準單元，連接于所述第一被校準單元，所述第一被校準單元用于校準所述第二被校準單元的電阻值。

9.一種半導體存儲器，其特征在于，包括權利要求1所述的電阻值校準電路。