[實(shí)用新型]非隔離低壓不閃爍LED驅(qū)動(dòng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721333618.5
• 申請(qǐng)日: 2017-10-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207354678U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳建良;顧南昌;吳潔
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 無(wú)錫恒芯微科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H05B33/08
• 分類(lèi)號(hào): H05B33/08
• 代理公司: 無(wú)錫市匯誠(chéng)永信專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 32260
• 代理人: 張歡勇

本實(shí)用新型涉及一種非隔離低壓不閃爍LED驅(qū)動(dòng)電路，涉及LED驅(qū)動(dòng)技術(shù)領(lǐng)域，包括啟動(dòng)電阻R1、穩(wěn)壓電容C1、UVLO模塊、退磁時(shí)間檢測(cè)模塊、系統(tǒng)控制模塊、峰值檢測(cè)模塊、LED開(kāi)路保護(hù)模塊、高壓MOS管M1、高壓MOS管M2、電阻Rs以及LED照明電路；還包括最大導(dǎo)通時(shí)間檢測(cè)模塊，當(dāng)其檢測(cè)到電感導(dǎo)通時(shí)間達(dá)到了內(nèi)部設(shè)定的最大值，輸出觸發(fā)信號(hào)對(duì)LED開(kāi)路保護(hù)模塊在退磁期間做屏蔽處理。在輸入相同功率的情況下，可以減小母線(xiàn)輸入高壓電容的容值，這樣可以降低成本；在輸入相同功率的情況下，可以實(shí)現(xiàn)更低的輸入母線(xiàn)電壓并保持LED燈不閃爍；在電網(wǎng)電壓不穩(wěn)定的情況下，可以保持LED燈不閃爍。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及LED驅(qū)動(dòng)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種非隔離低壓不閃爍LED驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)

目前在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上采用的非隔離驅(qū)動(dòng)芯片都是采用降壓型的BCM模式驅(qū)動(dòng)芯片，并且系統(tǒng)輸出LED電壓都是高達(dá)80V至200V之間，同時(shí)電流在200mA到350mA左右，有的甚至用到了420mA，這樣的話(huà)，輸入功率就會(huì)很大。同時(shí)在輸入電壓較低的情況下，會(huì)容易發(fā)生LED燈閃爍的情況。這樣就要求母線(xiàn)輸入電容盡量的大。功率越大，要求的輸入電容就越大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是現(xiàn)有的LED驅(qū)動(dòng)電路中母線(xiàn)電壓降低后LED閃爍的技術(shù)問(wèn)題。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案的：一種非隔離低壓不閃爍LED驅(qū)動(dòng)電路，包括啟動(dòng)電阻R1、穩(wěn)壓電容C1、UVLO模塊、退磁時(shí)間檢測(cè)模塊、系統(tǒng)控制模塊、峰值檢測(cè)模塊、LED開(kāi)路保護(hù)模塊、高壓MOS管M1、高壓MOS管M2、電阻Rs以及LED照明電路；所述照明電路包括LED燈管、電阻、電容以及電感；所述UVLO模塊用于設(shè)置LED照明電路開(kāi)啟和關(guān)閉的上下電壓，防止反復(fù)開(kāi)啟關(guān)閉；電源通過(guò)啟動(dòng)電阻R1給穩(wěn)壓電容C1充電；穩(wěn)壓電容C1連接UVLO模塊和高壓MOS管M2的柵極，高壓MOS管M2的源極連接照明電路，漏極連接退磁時(shí)間檢測(cè)模塊以及高壓MOS管的源極；所述退磁時(shí)間檢測(cè)模塊用于設(shè)定電感的退磁時(shí)間來(lái)對(duì)LED燈管進(jìn)行過(guò)壓保護(hù)，退磁時(shí)間檢測(cè)模塊連接系統(tǒng)控制模塊；電阻Rs連接MOS管M1的源極，所述峰值檢測(cè)模塊連接電阻Rs，用于設(shè)置LED燈管的峰值電流，連接系統(tǒng)控制模塊；系統(tǒng)控制模塊根據(jù)控制信號(hào)控制高壓MOS管M1的通斷；所述LED開(kāi)路保護(hù)模塊用于LED燈管過(guò)壓保護(hù)；還包括最大導(dǎo)通時(shí)間檢測(cè)模塊，當(dāng)其檢測(cè)到電感導(dǎo)通時(shí)間達(dá)到了內(nèi)部設(shè)定的最大值，輸出觸發(fā)信號(hào)對(duì)LED開(kāi)路保護(hù)模塊在退磁期間做屏蔽處理。

進(jìn)一步，所述最大導(dǎo)通時(shí)間檢測(cè)模塊包括發(fā)出的信號(hào)與高壓MOS管的柵極同相位的DRV驅(qū)動(dòng)模塊、反相器、兩個(gè)共柵極的NMOS管、PMOS管、電流源I1、遲滯比較器、RS觸發(fā)器以及復(fù)位信號(hào)產(chǎn)生模塊，DRV驅(qū)動(dòng)模塊分別連接反相器和復(fù)位信號(hào)產(chǎn)生模塊，所述反相器的輸出端連接NMOS管和PMOS管的柵極，PMOS管的漏極連接電流源I1，源極連接NMOS管的漏極，NMOS的源極接地，遲滯比較器的正極的連接NMOS管的漏極和PMOS管的源極連接，負(fù)極連接基準(zhǔn)電壓，輸出端連接RS觸發(fā)器的輸入端S，復(fù)位信號(hào)產(chǎn)生模塊連接RS觸發(fā)器的輸入端R，RS觸發(fā)器連接LED開(kāi)路保護(hù)模塊。

進(jìn)一步的，所述還包括產(chǎn)生內(nèi)部5V電壓模塊，該模塊用于產(chǎn)生5V電壓和基準(zhǔn)電壓。

從上述技術(shù)方案可以看出本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)：當(dāng)輸出為24串LED燈(LED燈電壓大約在76V左右)時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)全電壓輸入(80V—265V輸入)，LED燈不閃爍；在輸入相同功率的情況下，可以減小母線(xiàn)輸入高壓電容的容值，這樣可以降低成本；在輸入相同功率的情況下，可以實(shí)現(xiàn)更低的輸入母線(xiàn)電壓并保持LED燈不閃爍；在電網(wǎng)電壓不穩(wěn)定的情況下，可以保持LED燈不閃爍。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的電路原理圖；

圖2為本實(shí)用新型的母線(xiàn)電壓的波形圖；

圖3為本發(fā)明中最大導(dǎo)通時(shí)間檢測(cè)模塊的電路原理圖；