[實用新型]高輻射效率的基片集成介質諧振器天線陣列

有效

• 申請號: 201721332085.9
• 申請日: 2017-10-17
• 公開（公告）號: CN207265226U
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 胡鵬;龔克;胡雪惠;鄧冰潔;張祖成
• 申請（專利權）人: 信陽師范學院
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q9/04;H01Q21/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204
• 代理人: 饒欣

1.高輻射效率的基片集成介質諧振器天線陣列，其特征在于：包括由下往上設置的第一介質基片和第二介質基片；第一介質基片的上、下表面分別設有第一上金屬層和第一下金屬層，第一上金屬層和第一下金屬層之間設有貫穿第一介質基片的第一金屬化通孔，第一上金屬層的寬邊設有饋電端，第一上金屬層上還設有多個耦合槽，耦合槽分列于第一介質基片中心線的兩側；第二介質基片的上、下表面分別設有第二上金屬層和第二下金屬層，第二上金屬層和第二下金屬層之間設有貫穿第二介質基片的第二金屬化通孔，第二金屬化通孔圍成多個諧振器；所述諧振器與耦合槽一一對應，每個諧振器的下方都有一個耦合槽。

2.根據權利要求1所述的高輻射效率的基片集成介質諧振器天線陣列，其特征在于：所述第一金屬化通孔有平行的兩列，對稱設置在第一介質基片中心線的兩側。

3.根據權利要求2所述的高輻射效率的基片集成介質諧振器天線陣列，其特征在于：所述耦合槽的形狀為矩形，其長邊與第一金屬化通孔平行。

4.根據權利要求1所述的高輻射效率的基片集成介質諧振器天線陣列，其特征在于：所述每個諧振器都由內、外兩圈第二金屬化通孔圍成。

5.根據權利要求4所述的高輻射效率的基片集成介質諧振器天線陣列，其特征在于：所述內圈第二金屬化通孔圍成的形狀為正方形。

6.根據權利要求1所述的高輻射效率的基片集成介質諧振器天線陣列，其特征在于：所述饋電端包括微帶線以及漸變線。

7.根據權利要求1所述的高輻射效率的基片集成介質諧振器天線陣列，其特征在于：所述第一介質基片的介電常數小于第二介質基片的介電常數。

8.根據權利要求1所述的高輻射效率的基片集成介質諧振器天線陣列，其特征在于：所述第一介質基片的厚度小于第二介質基片的厚度。

9.根據權利要求1所述的高輻射效率的基片集成介質諧振器天線陣列，其特征在于：所述耦合槽中心線與第一介質基片中心線之間的距離為0.5mm。