[實用新型]測試連線結構及半導體測試結構

有效

• 申請號: 201721331718.4
• 申請日: 2017-10-16
• 公開（公告）號: CN207781585U
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發明（設計）人: 牛剛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/544
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 佟婷婷

1.一種測試連線結構，用于實現不同結構之間的電連接，其特征在于，包括：

第一金屬層，包括若干個間隔排布的第一金屬塊；

第二金屬層，平行設置于所述第一金屬層上方，包括若干個間隔排布的第二金屬塊，且所述第二金屬塊與所述第一金屬塊呈交替間隔排布，其中，所述第一金屬塊及所述第二金屬塊的長度均小于布萊什特征長度；

若干個連接通孔，設置于相鄰的所述第一金屬塊與所述第二金屬塊之間，所述第一金屬塊、所述連接通孔、所述第二金屬塊首尾連接構成所述測試連線結構。

2.根據權利要求1所述的測試連線結構，其特征在于，所述第一金屬塊及所述第二金屬塊的長度均小于20微米。

3.根據權利要求1所述的測試連線結構，其特征在于，所述第一金屬塊及所述第二金屬塊的寬度為1～2微米。

4.根據權利要求1所述的測試連線結構，其特征在于，所述連接通孔的高度為2500～4500埃。

5.根據權利要求1所述的測試連線結構，其特征在于，所述連接通孔的材料為鎢，所述第一金屬層與所述第二金屬層為相同材料的金屬層。

6.一種半導體測試結構，適于進行半導體器件的擊穿測試，其特征在于，包括：

襯底，包括有源區以及設置于所述有源區內的若干個隔離結構，所述隔離結構的底部與所述有源區的底部具有預設間距且所述隔離結構將所述有源區分成若干個有源區單元；

絕緣層，設置于任一所述有源區單元的上表面；

導電層，設置于所述絕緣層的上表面，并與第一測試焊墊相連接；

如權利要求1～5中任一項所述的測試連線結構，連接與所述絕緣層相鄰兩側的所述有源區單元，并與第二測試焊墊相連接。

7.根據權利要求6所述的半導體測試結構，其特征在于，所述半導體測試結構設置于切割道中，且所述測試連線結構環繞設置于所述絕緣層和所述第一測試焊墊所對應區域的外圍。

8.根據權利要求6所述的半導體測試結構，其特征在于，所述導電層包括至少兩個導電測試單元，所述導電測試單元分別與所述第一測試焊墊相連接。

9.根據權利要求6所述的半導體測試結構，其特征在于，所述導電層通過第一插塞與所述第一測試焊墊相連接，與所述導電層所相鄰的任一所述有源區單元通過第二插塞與所述第二測試焊墊相連接，且所述第一測試焊墊與所述第二測試焊墊位于相同的高度。

10.根據權利要求6所述的半導體測試結構，其特征在于，所述導電層為多晶硅，所述隔離結構為淺溝槽隔離結構。