[實用新型]發光二極管

有效

• 申請號: 201721327928.6
• 申請日: 2017-10-16
• 公開（公告）號: CN207542278U
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發明（設計）人: 夏章艮;王鋒;陳思河;林素慧;洪靈愿;許圣賢;彭康偉;張家宏
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/14;H01L33/60
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種發光二極管，其包括：發光外延層，自上而下依次包括第一半導體層、發光層和第二半導體層；透明導電層，形成于所述第一半導體層的表面之上；保護層，形成在所述透明導電層上；第一電極，由焊盤和擴展條構成，與第一半導體層形成電性連接，第二電極，形成于所述保護層上，由焊盤和擴展條構成，通過一系列通孔與所述第二半導體形成電性連接，所述焊盤的上表面與所述擴展條的上表面等高。

技術領域

本實用新型涉及半導體元件，尤其是涉及一種發光二極管。

背景技術

由于發光二極管具有壽命長、體積小、高耐震性、發熱度小以及耗電量低等優點，發光二極管已被廣泛地應用于家電產品以及各式儀器之指示燈或光源。

早期的氮化鎵LED芯片制作工藝通常由臺面蝕刻(MESA)、制作透明導電層（例如ITO）、制作電極和制作保護層四道工藝組成，其形成的發光二極管芯片如圖1所示，其一般包括襯底101、N型層111、發光層112、P型層113、透明導電層120、P電極141(焊盤143和擴展條144)、N電極142和保護層130。在氮化鎵LED中，p-GaN由于其載流子遷移率較低，通常會在PAD底部造成一定的電流擁堵。因此，現在通常會在P型電極的底部增加電流阻擋層150，用于抑制電流的過注入，增加透明導電層的電流擴散，如圖2所示。該芯片制作工藝通常至少包括臺面蝕刻(MESA)、制作電流阻擋層、制作電流擴展層（例如ITO）、制作電極和制作保護層五道工藝。

實用新型內容

本實用新型提供了一種發光二極管，其在形成透明導電層后先制作保護層，最后再制作電極，該保護層可同時作為電流阻擋層，一方面可以減少工藝，另一方面可以有效提升發光二極管的發光效率。

本實用新型技術方案為：一種發光二極管，包括：發光外延層，自上而下依次包括第一半導體層、發光層和第二半導體層；透明導電層，形成于所述第一半導體層的表面之上；保護層，形成在在所述透明導電層上；第一電極，由焊盤和擴展條構成，與第一半導體層形成電性連接，第二電極，形成于所述保護層上，由焊盤和擴展條構成，通過一系列通孔與所述第二半導體形成電性連接，所述焊盤的上表面與所述擴展條的上表面等高。

優選地，所述第二電極的擴展條與所述保護層形成全角度反射鏡。

優選地，所述第二電極的焊盤下方對應的通孔的直徑與所述第二電極的焊盤的直徑比為1:2~1:20。

優選地，所述第二電極的焊盤下方對應的通孔的面積占所述第二電極的焊盤的面積的2%~60%。

在一些實施例中，所述透明導電層在所述第一電極焊盤對應的位置形成第一開口。

在一些實施例中，所述保護層在所述第一電極焊盤對應的位置形成第二開口。

優選地，所述第二開口的尺寸大于所述第一開口的尺寸。

優選地，所述第一電極的焊盤同時與所述保護層、透明導電層、P型層接觸。

在一些實施例中，所述第一電極的焊盤呈臺階狀。

在一些實施例中，所述第二電極的焊盤的部分上表面高出所述第一電極的焊盤的上表面。

在一些實施例中，所述第二電極分布在發光二極管的中央區域，其中焊盤位于中心位置，所述擴展條由所述焊盤向相反的兩端延伸。

優選地，所述保護層的厚度d為λ/4n×(2k-1)，其中λ為所述發光層的發光波長，n為保護層的折射率，k為1以上的自然數。

本實用新型至少包括下面有益效果：

（1）上述發光二極管在透明導電層上先形成保護層，再形成電極，該保護層一方面保護發光二極管不受破壞，另一方面又可直接作為電流阻擋層，用于抑制電極下方的電流過注入，增加透明導電層的電流擴散；