[實用新型]存儲器及半導體器件

有效

• 申請號: 201721327823.0
• 申請日: 2017-10-16
• 公開（公告）號: CN207265053U
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 智云

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，特別涉及一種存儲器及其形成方法以及一種半導體器件。

背景技術

存儲器通常包括存儲電容器以及連接到所述存儲元件的存儲晶體管，所述存儲電容器用來存儲代表存儲信息的電荷。所述存儲晶體管中形成有源區、漏區和柵極，所述柵極用于控制所述源區和漏區之間的電流流動，并連接至字線導體，所述源區用于構成位線接觸區，以同通過位線接觸連接至一位線導體，所述漏區用于構成節點接觸區，以通過一節點接觸連接至存儲電容器。

目前，在形成節點接觸時，一般是利用光刻工藝直接定義出節點接觸的形成區域，即，利用光刻工藝直接界定出所形成的節點接觸的尺寸和位置。然而，在利用上述方法形成節點接觸時，由于光刻工藝的對準精度的限制，從而不可避免的會產生位置偏移的問題，使所定義出的節點接觸的形成區域的位置產生偏差，這將進一步導致后續所形成的節點接觸與節點接觸區之間無法充分接觸而產生較大的接觸電阻的問題。尤其是，隨著器件尺寸的不斷縮減，以及光刻工藝窗口的限制，使節點接觸與節點接觸區之間無法充分接觸的問題將越發嚴重。

此外，在制備出所述節點接觸之后，還需要對應節點接觸的排布方式，形成一存儲電容器在所述節點接觸上。即，電容器的排布方式與節點接觸的排布方式相對應，例如，當多個節點接觸在其與電容器的連接面上以規則的方形陣列排布，則后續所形成的電容器也相應的呈規則的方形陣列排布。然而，隨著半導體器件尺寸的不斷縮減，規則的方形陣列的排布方式已無法達到足夠的電容器的排布密集度，從而不利于存儲器尺寸的縮減，并且由于電容器尺寸的縮減，也相應的會對電容器的電容造成影響。因此，如何提高電容器排布的密集程度，以及增加電容器的電容尤為重要。

發明內容

本實用新型的目的在于提供一種存儲器，以利于提高電容器的排布密集程度。

基于此，本實用新型提供一種存儲器，包括：

一襯底，在所述襯底中形成有多個有源區，所述有源區中形成有一位線接觸區和多個節點接觸區，多個所述節點接觸區分布在所述位線接觸區的兩側；

多條字線導體，形成在所述襯底中并沿著第一方向延伸；

多條第一隔離線，形成在所述襯底上并對準地覆蓋所述字線導體，用于構成一第一隔離屏障，且所述第一隔離屏障的表面高于所述襯底的表面；

多條位線導體，形成在所述襯底上并沿著第二方向延伸，所述位線導體與相應的有源區相交，以使相應的所述有源區中的所述位線接觸區連接至所述位線導體上；

多條第二隔離線，形成在所述襯底上并對準地覆蓋所述位線導體，所述位線導體和所述第二隔離線共同用于構成一第二隔離屏障，所述第一隔離屏障和所述第二隔離屏障在所述襯底的表面上相交以共同界定出多個節點接觸窗，每一所述節點接觸區對應一個所述節點接觸窗，并且利用所述第二隔離線的厚度值使所述第二隔離屏障的頂表面高于所述第一隔離屏障的頂表面；

多個節點接觸，填充在所述節點接觸窗中，并利用所述第一隔離屏障相對于所述第二隔離屏障較低的頂表面高度差，使所述節點接觸延伸覆蓋至所述第一隔離屏障的上方。

可選的，所述存儲器還包括一位線接觸，形成在所述襯底上的所述位線接觸區上，所述位線接觸區通過所述位線接觸連接至所述位線導體。

可選的，所述第二隔離屏障在所述襯底上的投影完全覆蓋所述位線接觸區和所述位線接觸，并且在所述第一方向上，所述位線接觸區和所述位線接觸的最大寬度尺寸均小于所述第二隔離屏障的最大寬度尺寸。

可選的，所述存儲器還包括一支撐隔離層，形成在所述襯底上且位于所述位線接觸的外圍；所述第二隔離屏障包括靠近所述位線接觸的底部隔離部和遠離所述位線接觸的頂部隔離部，并且所述第二隔離屏障的所述頂部隔離部的寬度尺寸大于所述位線接觸和所述位線接觸區的最大寬度尺寸；

在所述第一方向上，當所述第二隔離屏障的所述底部隔離部的寬度尺寸小于所述第二隔離屏障的所述頂部隔離部的寬度尺寸時，所述支撐隔離層對齊設置在所述第二隔離屏障的所述頂部隔離部的下方，并從對應所述第二隔離屏障的所述底部隔離部的位置延伸至所述襯底的表面上；

在所述第一方向上，當所述第二隔離屏障的所述底部隔離部的寬度尺寸等于所述第二隔離屏障的所述頂部隔離部的寬度尺寸時，所述支撐隔離層對齊設置在所述第二隔離屏障的所述底部隔離部的下方。

可選的，所述存儲器還包括一間隔絕緣層，覆蓋所述位線導體的側壁，且所述間隔絕緣層、所述位線導體和所述第二隔離線共同構成所述第二隔離屏障。