[實(shí)用新型]反射式太赫茲波開關(guān)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201721323205.9 | 申請(qǐng)日： | 2017-10-11 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN207409631U | 公開（公告）日： | 2018-05-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 趙澤江 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)計(jì)量大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01P1/10 | 分類號(hào)： | H01P1/10;G02F1/01 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 本實(shí)用新型 太赫茲波 同樣形狀 反射式 基底層 介質(zhì)層 諧振層 中心對(duì)稱結(jié)構(gòu) 控制效果 中間層 最底層 頂層 | ||
本實(shí)用新型公開了一種反射式太赫茲波開關(guān)。它包括基底層、介質(zhì)層和諧振層。基底層位于最底層，介質(zhì)層位于中間層，頂層則為諧振層。其中，諧振層由四個(gè)同樣形狀大小的直角C形和四個(gè)同樣形狀大小的長(zhǎng)方形以開關(guān)的中心呈中心對(duì)稱結(jié)構(gòu)分布并且每?jī)蓚€(gè)直角C形之間分布著一個(gè)長(zhǎng)方形。本實(shí)用新型具有控制原理簡(jiǎn)單，控制效果良好，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，尺寸小，便于集成等優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及太赫茲波開關(guān)，尤其涉及一種反射式太赫茲波開關(guān)。
背景技術(shù)
太赫茲技術(shù)是二十世紀(jì)80年代末發(fā)展起來的一種新技術(shù)。太赫茲波獨(dú)特的頻率范圍(位于微波頻段和光頻段之間)覆蓋了多數(shù)大分子物質(zhì)的分子振動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)光譜，因此多數(shù)大分子物質(zhì)在太赫茲頻段無論其吸收譜、反射譜還是發(fā)射譜都具有明顯的指紋譜特性，這一點(diǎn)是微波所不具備的。太赫茲脈沖光源與傳統(tǒng)光源相比具有很多獨(dú)特的性質(zhì)，如：瞬態(tài)性、低能性等，這些特點(diǎn)決定了太赫茲技術(shù)在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域、醫(yī)學(xué)領(lǐng)域、通信領(lǐng)域以及生物等領(lǐng)域中有相當(dāng)重要的應(yīng)用前景。因此太赫茲技術(shù)以及太赫茲器件的研究逐漸成為世界范圍內(nèi)廣泛研究的熱點(diǎn)。
太赫茲系統(tǒng)主要由輻射源、探測(cè)器件和各種功能器件組成。然而現(xiàn)有的太赫茲波開關(guān)大都存在著結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本高、控制效率低等諸多缺點(diǎn)。所以迫切需要提出控制原理簡(jiǎn)單，控制效果良好，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，尺寸小，便于集成的太赫茲波開關(guān)來促進(jìn)太赫茲技術(shù)的發(fā)展。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型提供一種反射式太赫茲波開關(guān)，技術(shù)方案如下：
反射式太赫茲波開關(guān)包括基底層、介質(zhì)層和諧振層，基底層位于最底層，介質(zhì)層位于中間層，頂層則為諧振層，諧振層由四個(gè)同樣形狀大小的直角C形和四個(gè)同樣形狀大小的長(zhǎng)方形以開關(guān)的中心呈中心對(duì)稱結(jié)構(gòu)分布并且每?jī)蓚€(gè)直角C形之間分布著一個(gè)長(zhǎng)方形。
所述的基底層材料為金，形狀為正方形，電導(dǎo)率為4.56×10
本實(shí)用新型具有控制原理簡(jiǎn)單，控制效果良好，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，尺寸小，便于集成等優(yōu)點(diǎn)。
附圖說明
圖1是反射式太赫茲波開關(guān)的主視圖；
圖2是實(shí)施例1反射式太赫茲波開關(guān)的性能曲線圖；
圖3是反射式太赫茲波開關(guān)在0.51THz下的仿真電場(chǎng)分布圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，反射式太赫茲波開關(guān)包括基底層、介質(zhì)層和諧振層，基底層位于最底層，介質(zhì)層位于中間層，頂層則為諧振層，諧振層由四個(gè)同樣形狀大小的直角C形和四個(gè)同樣形狀大小的長(zhǎng)方形以開關(guān)的中心呈中心對(duì)稱結(jié)構(gòu)分布并且每?jī)蓚€(gè)直角C形之間分布著一個(gè)長(zhǎng)方形。
所述的基底層材料為金，形狀為正方形，電導(dǎo)率為4.56×10
實(shí)施例1
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)計(jì)量大學(xué)，未經(jīng)中國(guó)計(jì)量大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721323205.9/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
