[實(shí)用新型]一種蒸鍍?cè)O(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721314946.0
• 申請(qǐng)日: 2017-10-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207362322U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳俊宇;李軼文;任雪艷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 固安鼎材科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/24
• 分類號(hào): C23C14/24;C23C14/04;H01L51/56
• 代理公司: 北京東方芊悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11591
• 代理人: 彭秀麗

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種蒸鍍?cè)O(shè)備，包括蒸發(fā)腔室，用于蒸鍍基片，所述基片置于所述蒸發(fā)腔室內(nèi)，所述蒸發(fā)腔室內(nèi)還設(shè)有磁性掩模版、磁性壓合裝置、基片載體、坩堝和多扎線圈。磁性壓合裝置安置在蒸發(fā)腔室內(nèi)基片上方，用以壓合基片和磁性掩模版，并產(chǎn)生一個(gè)方向固定，大小不變的磁場(chǎng)，對(duì)磁性掩模版進(jìn)行吸附，阻止掩模版因自身重量等原因的下垂；蒸發(fā)腔室內(nèi)豎直向螺旋纏繞有多扎線圈，通正向電流時(shí)，能夠產(chǎn)生與磁性壓合裝置相同的磁場(chǎng)，當(dāng)具有磁矩的自由分子蒸發(fā)上升時(shí)，線圈磁場(chǎng)和磁性壓合裝置產(chǎn)生的雙重磁場(chǎng)對(duì)其磁矩方向進(jìn)行調(diào)控定向，使分子以相同的方向落于基片，改善成膜，提高器件性能與壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及OLED器件制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種蒸鍍?cè)O(shè)備。

背景技術(shù)

有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)具有自發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、色彩艷、輕薄等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為在照明和顯示器件市場(chǎng)上具有廣闊的應(yīng)用前景，受到了國(guó)際光電學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的高度重視，使用蒸鍍的方法制備OLED器件是目前常用的制備方法。

蒸鍍?cè)O(shè)備在使用掩模版時(shí)，由于掩模版自身重力等因素，導(dǎo)致掩模版下垂，掩模效果不理想。并且設(shè)備中壓合裝置從壓合狀態(tài)分離時(shí)，稍顯困難并對(duì)裝置有所損耗。使用真空蒸鍍的方法制備OLED器件，雖然在蒸鍍沉積有機(jī)功能層的過(guò)程中蒸發(fā)腔室具有高真空度和潔凈的環(huán)境，但是分子取向依舊雜亂無(wú)章，而且高溫蒸發(fā)出的分子不規(guī)則運(yùn)動(dòng)以及分子間的碰撞和各種作用力使其落到基片表面時(shí)薄膜成膜并不均勻，結(jié)晶較差，阻礙載流子在薄膜內(nèi)的傳輸，導(dǎo)致薄膜遷移率較低。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)中掩模版與基片間貼合力不足、磁性分子取向雜亂無(wú)章、薄膜成膜不均勻等問(wèn)題，進(jìn)而提供一種蒸鍍效果好、蒸鍍成品率高且故障率小的新型蒸鍍?cè)O(shè)備。

本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下：

一種蒸鍍?cè)O(shè)備，包括蒸發(fā)腔室，用于蒸鍍基片，所述基片置于所述蒸發(fā)腔室內(nèi)，其特征在于，所述蒸發(fā)腔室內(nèi)還設(shè)有：

磁性掩模版，用于確定所述基片蒸鍍的圖形；

磁性壓合裝置，用于壓合所述基片和磁性掩模版，并對(duì)所述磁性掩模版進(jìn)行吸附以防止其變形；

基片載體，其為非磁性載體，用于承載待蒸鍍的所述基片和磁性掩模版；

坩堝，位于所述蒸發(fā)腔室內(nèi)，其與所述磁性壓合裝置分別設(shè)置于所述基片的兩側(cè)，用于提供熱量，加熱蒸發(fā)有機(jī)材料。

所述蒸發(fā)腔室內(nèi)還設(shè)有多扎線圈，所述多扎線圈通電后所形成的磁力方向垂直作用于所述基片上，用于提供大小可控、方向可變的磁場(chǎng)。

所述多扎線圈位于所述磁性掩模版的下方，所述多扎線圈的上端高出所述基片所在水平位置，其下端貼近所述坩堝上沿所在的水平位置。

所述多扎線圈通電后所形成的磁力區(qū)域垂直作用于整個(gè)所述基片上。

所述磁性壓合裝置包括壓合磁板和壓合立柱，所述壓合磁板置于所述基片上方，所述壓合立柱的上端貫穿所述基片載體頂部且可上下移動(dòng)，其下端與所述壓合磁板固定連接，用于控制所述壓合磁板的升降。

所述壓合磁板的N極朝上、S極朝下；所述多扎線圈通正向電流時(shí)，其上端為N極，下端為S極。

所述壓合磁板保持磁性的最高溫度為150℃。

所述壓合立柱上端穿過(guò)所述基片載體頂部中心，下端與所述壓合磁板中心處固定連接。

所述坩堝呈等間距圓周排列布置。

所述多扎線圈通電后所形成的磁力區(qū)域?qū)⑺鲔釄迦堪鼑趦?nèi)。

本實(shí)用新型相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)具有如下有益效果：