[實用新型]一種具有n型導(dǎo)電溝道的半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721313286.4
• 申請日: 2017-10-12
• 公開（公告）號: CN207217545U
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王晶晶;馮志紅;蔚翠;周闖杰;劉慶彬;何澤召
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/10;H01L29/16
• 代理公司: 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所13120
• 代理人: 米文智

1.一種具有n型導(dǎo)電溝道的半導(dǎo)體器件，其特征在于：包括襯底，所述襯底的上表面設(shè)有高阻金剛石層，所述金剛石層的上表面設(shè)有具有施主特性且組分緩變的三元化合物形成的第一施主層，在所述金剛石層與第一施主層的界面處形成一個緩變異質(zhì)結(jié)，在金剛石一側(cè)，近結(jié)處形成二維電子氣，利用二維電子氣作為n型導(dǎo)電溝道。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述第一施主層的上表面設(shè)有具有施主特性的二元化合物或者單質(zhì)形成的第二補償施主層，第二補償施主層用于為所述緩變異質(zhì)結(jié)中的第一施主層提供補償電子。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述第一施主層的厚度為1nm-100μm。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述第二補償施主層的厚度為1nm-100μm。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述襯底的厚度為100μm-1000μm。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述高阻金剛石層的厚度為1μm -1000μm。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：在所述高阻金剛石層與所述第一施主層之間設(shè)有外延金剛石層。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：所述外延金剛石層厚度為10nm-1μm。