[實用新型]一種集成紫外線偵測器結(jié)構(gòu)的晶體管及電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721312294.7
• 申請日: 2017-10-12
• 公開（公告）號: CN207303126U
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李華山
• 申請（專利權(quán)）人: 福建省福聯(lián)集成電路有限公司
• 主分類號: H01L31/113
• 分類號: H01L31/113
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務(wù)所(普通合伙)35219
• 代理人: 徐劍兵,林祥翔

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及晶體管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種集成紫外線偵測器結(jié)構(gòu)的晶體管及具有該晶體管的電子設(shè)備。

背景技術(shù)

隨著全球暖化現(xiàn)象加劇,太陽紫外線也越來越強烈,太陽紫外線對人體的影響愈發(fā)明顯，因此對于紫外線偵測就更為重要。

目前市面上的智能手機并無加裝紫外線偵測(UV detector)功能,要實現(xiàn)紫外線偵測需要專門的設(shè)備。即使要在手機上實現(xiàn)紫外線偵測功能，需要加上額外的傳感器，需要占用額外體積，則要對現(xiàn)有手機結(jié)構(gòu)進行更改，工作量十分大。

實用新型內(nèi)容

為此，需要提供一種集成紫外線偵測器結(jié)構(gòu)的晶體管及具有該晶體管的電子設(shè)備，解決現(xiàn)有在手機上增加紫外線偵測功能需要對手機結(jié)構(gòu)進行更改的問題。

為實現(xiàn)上述目的，發(fā)明人提供了一種集成紫外線偵測器結(jié)構(gòu)的晶體管及具有該晶體管的電子設(shè)備，包括氮化鎵鋁基板，氮化鎵鋁基板上設(shè)置有氮化鎵鋁緩沖層、源極觸點、柵極觸點和漏極觸點，氮化鎵鋁緩沖層上設(shè)置有N 型氮化鎵層，N型氮化鎵層上設(shè)置有非故意摻雜層、第一紫外線偵測觸點，非故意摻雜層上設(shè)置有P型氮化鎵鋁層，P型氮化鎵鋁層上設(shè)置有第二紫外線偵測觸點。

進一步地，氮化鎵鋁基板下設(shè)置有藍寶石襯底或者碳化硅襯底。

本實用新型提供一種電子設(shè)備，包括有電路板，所述電路板上設(shè)置有晶體管，所述晶體管為上述的集成紫外線偵測器結(jié)構(gòu)的晶體管。

進一步地，所述電子設(shè)備為手機。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，上述技術(shù)方案可以在一個晶體管芯片上實現(xiàn)功放功能和紫外線檢測功能，從而不用額外占用空間，結(jié)構(gòu)上更改較簡單。這樣可以在現(xiàn)有的電子設(shè)備(如手機)上增加紫外線檢測功能，方便用戶做相應(yīng)的防曬保護措施。

附圖說明

圖1為單獨的功放芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為單獨的紫外線偵測器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本申請具體實施方式的晶體管的生產(chǎn)過程變化示意圖；

圖4為本申請具體實施方式的具體管紫外線檢測示意圖。

具體實施方式

為詳細說明技術(shù)方案的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合具體實施例并配合附圖詳予說明。

為了詳細說明本申請，下面先對本申請中出現(xiàn)的英文名稱給出對應(yīng)的中文解釋：

P-HEMT(PHEMT)：P型高遷移率晶體管；GaN：氮化鎵；UV detector：紫外線偵測器；SiN passivation：氮化硅鈍化；Source(S)：源極；Gate(G)：柵極(D)；Drain：漏極；AlGaN：氮化鎵鋁；Substrate：襯底；sapphire：藍寶石；SiC：碳化硅；p-：P型；n⁺-：N型；Unintentional doped(UID)：非故意摻雜；layer：層；AlN：氮化鋁；buffer：緩沖；Contact Metal：金屬觸點；MOCVD：金屬有機化合物化學氣相淀積(Metal-organic Chemical Vapor DePosition)；MBE：分子束外延。