[實用新型]半導體器件結構

有效

• 申請號: 201721309432.6
• 申請日: 2017-10-11
• 公開（公告）號: CN207602570U
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 阿里·薩利赫;戈登·M·格里芙尼亞;丹尼爾·R·赫特爾;歐薩姆·艾石馬魯;托馬斯·基娜;馬薩弗米·烏哈拉
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L27/08
• 分類號: H01L27/08;H01L23/48
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 王美石;姚開麗

1.一種半導體器件結構，包括：

半導體材料區域，所述半導體材料區域包括具有第一導電類型的半導體襯底和鄰近所述半導體襯底設置的具有與所述第一導電性相反的第二導電類型的半導體層，所述半導體層限定第一主表面，并且所述半導體襯底限定相反的第二主表面；

所述第一導電類型的第一摻雜區域，其設置在所述半導體層的鄰近所述第一主表面的第一部分中；

所述第二導電類型的第二摻雜區域，其設置在所述半導體層的鄰近所述第一主表面的第二部分中；

所述第二導電類型的第三摻雜區域，其設置在所述半導體層的鄰近所述第一主表面的第三部分中；和

襯底接觸結構，所述襯底接觸結構從鄰近所述第一主表面延伸到所述半導體襯底，其中：

所述襯底接觸結構電耦接到所述第二摻雜區域以在所述第二摻雜區域和所述半導體襯底之間提供電連通；

所述第一摻雜區域、所述半導體層和所述第二摻雜區域被構造為橫向二極管結構；

所述第三摻雜區域、所述半導體層和所述半導體襯底被構造為豎直二極管結構；并且

所述第二主表面為所述橫向二極管結構和所述豎直二極管結構兩者提供公共電極。

2.根據權利要求1所述的結構，其中所述襯底接觸結構包括：

槽結構，所述槽結構從所述第一主表面延伸；

多個結構，所述多個結構包括所述半導體層的部分；和

導電材料，所述導電材料設置在所述槽結構內并橫向圍繞所述多個結構。

3.根據權利要求2所述的結構，其中：

所述導電材料包括具有所述第一導電類型的多晶半導體材料；

所述多個結構包括按列形成的多個獨立式結構；

鄰接的列彼此偏移，使得在鄰接的獨立式結構之間存在基本上相等的距離；

所述槽結構包括與至少兩個側面上的鄰接結構基本上等距的周邊；并且

多個結構具有所述第一導電類型。

4.根據權利要求1所述的結構，還包括：

隱埋層區域，所述隱埋層區域設置為在所述橫向二極管結構下面鄰近所述半導體襯底和所述半導體層之間的界面，所述隱埋層區域具有所述第二導電類型；和

導電溝槽結構，所述導電溝槽結構設置為從所述第一主表面延伸穿過所述第二摻雜區域至所述隱埋層區域。

5.根據權利要求1所述的結構，還包括：

第一電極，所述第一電極電耦接到所述第一摻雜區域；

第二電極，所述第二電極電耦接到所述第二摻雜區域和所述襯底接觸結構；

第三電極，所述第三電極電耦接到所述第三摻雜區域；和

第四電極，所述第四電極鄰近所述第二主表面提供所述公共電極，其中所述襯底接觸結構橫向插置在所述第二摻雜區域和所述第三摻雜區域之間。

6.一種半導體器件結構，包括：

半導體材料區域，所述半導體材料區域具有第一主表面和相反的第二主表面；和

接觸結構，所述接觸結構設置在所述半導體材料區域的第一部分中；所述接觸結構包括：

槽結構，所述槽結構從所述第一主表面附近延伸；

多個結構，所述多個結構包括從所述槽結構的下表面向外延伸的所述半導體材料區域的部分；和

導電材料，所述導電材料設置在所述槽結構內并橫向圍繞所述多個結構。