[實用新型]一種大功率半導體高頻激光器封裝用的硅熱沉有效
| 申請號： | 201721304279.8 | 申請日： | 2017-10-11 |
| 公開（公告）號： | CN207442181U | 公開（公告）日： | 2018-06-01 |
| 發明（設計）人： | 徐建衛 | 申請（專利權）人： | 上海矽安光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/024 | 分類號： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 上海宏京知識產權代理事務所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 周高 |
| 地址： | 200233 上海市徐匯*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅熱沉 高頻激光器 氮化硅層 硅片 大功率半導體 封裝 本實用新型 二氧化硅層 金屬電路 熱導率 錫層 背面 光電子領域 電路連接 工藝周期 拋光 通孔 制作 | ||
【權利要求書】：
1.一種大功率半導體高頻激光器封裝用的硅熱沉，其特征在于，包括一硅片，所述硅片的正、反面均拋光，硅片的正面上方由下往上依次設有第一二氧化硅層、第一氮化硅層，硅片的反面下方由上往下依次設有第二二氧化硅層、第二氮化硅層，所述第一氮化硅層上制作有金屬電路，所述第二氮化硅層上制作有背面金錫層，該金屬電路與背面金錫層之間由通孔電路連接。
2.如權利要求1所述的一種大功率半導體高頻激光器封裝用的硅熱沉，其特征在于，所述硅片的厚度為200~1000微米。
3.如權利要求2所述的一種大功率半導體高頻激光器封裝用的硅熱沉，其特征在于，所述第一、二二氧化硅層的厚度為100~2000埃，所述第一、二二氧化硅層為第一、二氮化硅層的應力緩解層。
4.如權利要求3所述的一種大功率半導體高頻激光器封裝用的硅熱沉，其特征在于，所述第一、二氮化硅層的厚度為1000埃~1微米，所述第一、二氮化硅層為絕緣層。
5.如權利要求4所述的一種大功率半導體高頻激光器封裝用的硅熱沉，其特征在于，所述背面金錫層的厚度為1~5微米。
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