[實(shí)用新型]脈沖激光沉積系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721304052.3
• 申請(qǐng)日: 2017-10-11
• 公開（公告）號(hào): CN207775343U
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石永敬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 重慶科技學(xué)院
• 主分類號(hào): C23C14/46
• 分類號(hào): C23C14/46;C23C14/50
• 代理公司: 重慶樂泰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 50221
• 代理人: 劉佳

1.一種脈沖激光沉積系統(tǒng)，其特征在于，包括真空室、襯底承載架、非平衡磁極輔助靶、激光器和光路系統(tǒng)，其中所述襯底承載架和所述非平衡磁極輔助靶相對(duì)設(shè)置在所述真空室內(nèi)，所述非平衡磁極輔助靶面向所述真空室內(nèi)側(cè)的一面上設(shè)置有至少一對(duì)磁極且在該對(duì)磁極之間形成有非平衡磁場(chǎng)，在該對(duì)磁極之間設(shè)置有靶材，所述激光器產(chǎn)生的激光通過所述光路系統(tǒng)聚焦至所述靶材表面，以在所述靶材上產(chǎn)生燒蝕等離子體，所述燒蝕等離子體在所述非平衡磁場(chǎng)的作用下做進(jìn)一步電離并均勻分布至所述靶材表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的脈沖激光沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括等離子體發(fā)生器，所述等離子體發(fā)生器與所述真空室連通，用于對(duì)注入其內(nèi)的氣體進(jìn)行等離子體化，并將所述氣體的等離子體輸送至所述真空室內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的脈沖激光沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述襯底承載架為偏置電極，所述偏置電極用于承載襯底，并與偏置電源連接，以在所述偏置電極上形成電場(chǎng)，以吸引等離子體轟擊到襯底上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的脈沖激光沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述襯底承載架還通過旋轉(zhuǎn)軸與旋轉(zhuǎn)裝置連接，以使所述旋轉(zhuǎn)裝置帶動(dòng)所述偏置電極轉(zhuǎn)動(dòng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的脈沖激光沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括溫控系統(tǒng)，用于對(duì)所述真空室內(nèi)的溫度進(jìn)行控制。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的脈沖激光沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述非平衡磁極輔助靶包括靶座和磁軛，在所述靶座面向所述真空室內(nèi)的一側(cè)上設(shè)置有所述靶材，在所述靶座內(nèi)埋設(shè)有相對(duì)于所述靶材對(duì)稱設(shè)置的至少一對(duì)磁極，該對(duì)磁極的極性相反且磁場(chǎng)強(qiáng)度不同。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的脈沖激光沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述非平衡磁極輔助靶還包括導(dǎo)磁板，該導(dǎo)磁板分設(shè)于至少一對(duì)磁極的兩側(cè)，且相對(duì)于所述靶材對(duì)稱設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的脈沖激光沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述靶座內(nèi)設(shè)置有位于所述靶材下方的冷卻水池。