[實(shí)用新型]一種晶圓級(jí)功率半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721303825.6
• 申請(qǐng)日: 2017-10-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207250527U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱袁正;周永珍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 無(wú)錫新潔能股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/78
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 無(wú)錫市大為專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種晶圓級(jí)功率半導(dǎo)體器件，包括有源區(qū)（A）和終端保護(hù)與截止保護(hù)區(qū)（T），所述有源區(qū)（A）位于晶圓級(jí)功率半導(dǎo)體器件的中心區(qū)，所述終端保護(hù)與截止保護(hù)區(qū)（T）位于所述有源區(qū)（A）的外圈，其特征在于，所述有源區(qū)（A）包括：第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底（1）和設(shè)置在所述第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底（1）上的第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底外延層（2），在所述第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底外延層（2）上形成溝槽，所述溝槽內(nèi)壁形成絕緣氧化層（3），所述溝槽內(nèi)填充導(dǎo)電多晶硅（4），所述導(dǎo)電多晶硅（4）形成為柵極區(qū)域（a），所述第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底外延層（2）上形成第二導(dǎo)電類(lèi)型體區(qū)（5），所述第二導(dǎo)電類(lèi)型體區(qū)（5）上形成第一導(dǎo)電類(lèi)型源極（6），所述第一導(dǎo)電類(lèi)型源極（6）和所述第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底外延層（2）的上表面形成絕緣介質(zhì)層（7），所述絕緣介質(zhì)層（7）上形成源極引線孔（8a）、漏極引線孔（8b）和柵極引線孔，所述源極引線孔（8a）、漏極引線孔（8b）和柵極引線孔上形成源漏柵金屬層（9），所述源漏柵金屬層（9）形成為漏極區(qū)域（c）、源極區(qū)域（b）和柵極區(qū)域（a），所述源漏柵金屬層（9）上淀積和刻蝕絕緣鈍化層（10），所述絕緣鈍化層（10）上形成第一金屬墊層（11）和第二金屬墊層（13），所述源漏柵金屬層（9）與所述導(dǎo)電多晶硅（4）之間通過(guò)柵極引線孔連接，所述第一導(dǎo)電類(lèi)型源極（6）通過(guò)源極引線孔（8a）與所述源漏柵金屬層（9）連接，所述第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底外延層（2）通過(guò)漏極引線孔（8b）與所述源漏柵金屬層（9）連接，且所述源極引線孔（8a）、漏極引線孔（8b）和柵極引線孔均為同一光刻板、同一刻蝕步驟以及同一金屬淀積步驟形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述有源區(qū)（A）還包括形成在所述第二金屬墊層（13）上的焊球（12）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述漏極引線孔（8b）的孔徑大于或者等于0.2μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述絕緣氧化層（3）的厚度范圍在100?~1000 ?之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的晶圓級(jí)功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二金屬墊層（13）的厚度大于15μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的晶圓級(jí)功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述晶圓級(jí)功率半導(dǎo)體器件包括N型晶圓級(jí)功率半導(dǎo)體器件和P型晶圓級(jí)功率半導(dǎo)體器件，當(dāng)所述晶圓級(jí)功率半導(dǎo)體器件為所述N型晶圓級(jí)功率半導(dǎo)體器件時(shí)，第一導(dǎo)電類(lèi)型為N型，第二導(dǎo)電類(lèi)型為P型，當(dāng)所述晶圓級(jí)功率半導(dǎo)體器件為所述P型晶圓級(jí)功率半導(dǎo)體器件時(shí)，第一導(dǎo)電類(lèi)型為P型，第二導(dǎo)電類(lèi)型為N型。