[實用新型]一種薄膜太陽能電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721302487.4 | 申請日: | 2017-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN207265068U | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權(quán))人: | 鹽城普蘭特新能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0445 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 薄膜 太陽能電池 | ||
1.一種薄膜太陽能電池,其特征在于:包括襯底,以及沿遠離襯底的方向依次設(shè)置在襯底上的阻擋層、背電極層、p型光吸收層、n型半導(dǎo)體層、硒化鎘層、硫硒化鋅層、具有高電阻率的氧化鋅膜層和透明導(dǎo)電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述硒化鎘層的厚度≤9nm,優(yōu)選所述硒化鎘層的厚度≤7nm,更優(yōu)選所述硒化鎘層的厚度≤5nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述p型光吸收層為p型銅銦鎵硒膜層、p型銅銦鎵硒硫膜層、p型銅銦鎵硫膜層、p型銅銦鎵鋁硒膜層、p型銅銦鎵鋁硒硫膜層、p型銅銦鎵鋁硫膜層、p型銅銦硒膜層、p型銅銦硒硫膜層、p型銅銦硫膜層或它們的任意組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述背電極層為鉬電極層、鈦電極層、鉻電極層、透明導(dǎo)電層或它們的任意組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述透明導(dǎo)電層為銀基透明導(dǎo)電膜層、氧化銦摻雜錫膜層、氧化鋅摻雜鋁膜層、氧化鋅摻雜鎵膜層、氧化鋅摻雜銦膜層、氧化鋅摻雜硼膜層、氧化錫摻雜氟膜層、氧化錫摻碘膜層、氧化錫摻雜銻膜層和石墨烯層中的至少一種膜層組成;所述襯底為鈉鈣玻璃板、不銹鋼薄板、聚酰亞胺板、鋁薄板或鈦薄板。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述具有高電阻率的氧化鋅膜層為本征氧化鋅膜層、具有電阻率為0.08Ω﹒cm至95Ω﹒cm的摻雜氧化鋅膜層或它們的組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述阻擋層由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化鈦、氧化鈦、氮氧化鈦、氮氧化鋯、氧化鋯、氮化鋯、氮化鋁、氧化鋁、氧化硅鋁、氮化硅鋁、氮氧化硅鋁、鋅錫氧化物或它們的任意混合物組成;或所述阻擋層由硅、鋯和鈦中的至少一種元素與鉬組成的至少兩種元素的氧化物、氮化物或氮氧化物組成;當(dāng)襯底為玻璃基板時,所述阻擋層為一含有Li、K中至少一種元素的堿過濾層,該堿過濾層包含Li、K中的至少一種元素和Si、Al、O三種元素。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述n型半導(dǎo)體層為n型銅銦鎵硒膜層、n型銅銦鎵硒硫膜層、n型銅銦鎵鋁硒膜層、n型銅銦鋁硒膜層、n型銅銦鋁硒硫膜層或n型銅銦鎵鋁硒硫膜層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述硒化鎘層與硫硒化鋅層之間設(shè)有一層硫化鎘膜層、硫化銦膜層、硒化銦膜層或硫硒化銦膜層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述透明導(dǎo)電層上設(shè)有一減反射膜層,所述減反射膜層由一層或多層組成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





