[實(shí)用新型]一種橫向PMOS管及橫向PMOS芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721298623.7
• 申請(qǐng)日: 2017-10-10
• 公開（公告）號(hào): CN207503987U
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李科舉;王燕暉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市富滿電子集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L25/07
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44248
• 代理人: 溫玉珍

1.一種橫向PMOS管，其特征在于，包括PMOS開關(guān)管和ESD保護(hù)電路，所述PMOS開關(guān)管的源極設(shè)置于其柵極的一側(cè)，所述PMOS開關(guān)管的漏極設(shè)置于所述柵極的另一側(cè)，所述PMOS開關(guān)管的柵氧化層下方區(qū)域設(shè)置為溝道；所述ESD保護(hù)電路分別與所述PMOS開關(guān)管的源極和柵極相連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橫向PMOS管，其特征在于，所述ESD保護(hù)電路包括場效應(yīng)管PW1、場效應(yīng)管PW2和電阻R1，所述場效應(yīng)管PW1的柵極、場效應(yīng)管PW1的源極、場效應(yīng)管PW2的柵極以及場效應(yīng)管PW2的源極均與所述PMOS開關(guān)管的源極相連接，所述場效應(yīng)管PW1的漏極通過所述電阻R1分別連接至所述場效應(yīng)管PW2的漏極和所述PMOS開關(guān)管的柵極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的橫向PMOS管，其特征在于，所述場效應(yīng)管PW1還包括寄生二極管D11，所述寄生二極管D11的陽極連接至所述場效應(yīng)管PW1的漏極，所述寄生二極管D11的陰極連接至所述場效應(yīng)管PW1的源極。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的橫向PMOS管，其特征在于，所述場效應(yīng)管PW2還包括寄生二極管D12，所述寄生二極管D12的陽極連接至所述場效應(yīng)管PW2的漏極，所述寄生二極管D12的陰極連接至所述場效應(yīng)管PW2的源極。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的橫向PMOS管，其特征在于，所述PMOS開關(guān)管還包括寄生二極管D0，所述寄生二極管D0的陽極連接至所述PMOS開關(guān)管的漏極，所述寄生二極管D0的陰極連接至所述PMOS開關(guān)管的源極。

6.一種橫向PMOS芯片，其特征在于，所述橫向PMOS芯片包括了如權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的橫向PMOS管。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的橫向PMOS芯片，其特征在于，所述橫向PMOS芯片包括了至少兩個(gè)所述橫向PMOS管，所述至少兩個(gè)橫向PMOS管封裝在同一個(gè)橫向PMOS芯片中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的橫向PMOS芯片，其特征在于，每一個(gè)橫向PMOS管均設(shè)置有獨(dú)立的輸入端和輸出端。