[實用新型]AMOLED顯示裝置

有效

• 申請號: 201721294531.1
• 申請日: 2017-10-09
• 公開（公告）號: CN206947383U
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發明（設計）人: 黃泰鈞;王振嶺
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32;G09G3/3233
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂

1.一種AMOLED顯示裝置，其特征在于，包括：TFT基板(100)、設于TFT基板(100)上的多條像素隔離壩(200)、設于TFT基板(100)上的多個OLED功能層(300)、及設于多個OLED功能層(300)上的陰極(400)；所述多條像素隔離壩(200)在TFT基板(100)上限定出多個像素區域(101)，多個OLED功能層(300)分別位于多個像素區域(101)內；

所述TFT基板(100)包括襯底基板(110)、設于襯底基板(110)上的TFT陣列層(120)、及設于TFT陣列層(120)上且對應位于多個像素區域(101)內的多個陽極層(130)；

每一陽極層(130)均包括：位于對應的像素區域(101)的中心的第一陽極(131)、及設于第一陽極(131)周圍且與第一陽極(131)間隔的第二陽極(132)；第一陽極(131)與其上方的OLED功能層(300)及陰極(400)構成第一子OLED(D1)，第二陽極(132)與其上方的OLED功能層(300)及陰極(400)構成第二子OLED(D2)；

所述AMOLED顯示裝置對應每一像素區域(101)設有一像素驅動電路(10)，所述像素驅動電路(10)分別與第一陽極(131)及第二陽極(132)電性連接。

2.如權利要求1所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述像素隔離壩(200)的材料為親水性材料，所述OLED功能層(300)與第一陽極(131)對應的部分的厚度小于與第二陽極(132)對應的部分的厚度。

3.如權利要求1所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述像素隔離壩(200)的材料為疏水性材料，所述OLED功能層(300)與第一陽極(131)對應的部分的厚度大于與第二陽極(132)對應的部分的厚度。

4.如權利要求1所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，每一像素驅動電路(10)均包括第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、第四薄膜晶體(T4)、第一電容(C1)、第二電容(C2)；

所述第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、第四薄膜晶體(T4)、第一電容(C1)、第二電容(C2)均位于TFT陣列層(120)中；所述第一薄膜晶體管(T1)的柵極接入掃描信號(scan)，源極接入第一數據信號(data1)，漏極電性連接第二薄膜晶體管(T2)的柵極；所述第二薄膜晶體管(T2)的漏極接入電源正電壓(OVDD)，源極電性連接對應像素區域(101)中的第一陽極(131)；所述第三薄膜晶體管(T3)的柵極電性連接第一薄膜晶體管(T1)的柵極，源極接入第二數據信號(data2)，漏極電性連接第四薄膜晶體管(T4)的柵極；所述第四薄膜晶體管(T4)的漏極接入電源正電壓(OVDD)，源極電性連接對應像素區域(101)中的第二陽極(132)；所述第一電容(C1)的兩端分別電性連接第二薄膜晶體管(T2)的柵極及漏極；所述第二電容(C2)的兩端分別電性連接第四薄膜晶體管(T4)的柵極及漏極；

所述陰極(400)接入電源負電壓(OVSS)。

5.如權利要求3所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述TFT基板(100)還包括設于陽極層(130)與TFT陣列層(120)之間的平坦化層(140)。

6.如權利要求5所述的AMOLED顯示裝置，其特征在于，所述平坦化層(140)上對應第一陽極(131)的區域的厚度小于對應第二陽極(132)的區域的厚度。