[實用新型]平板電極結(jié)構(gòu)和等離子體沉積設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721276233.X | 申請日: | 2017-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN207418862U | 公開(公告)日: | 2018-05-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 孫溯;張志強;謝小兵 | 申請(專利權(quán))人: | 上海稷以科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/50 | 分類號: | C23C16/50;C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海立群專利代理事務所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 何靜生;侯莉 |
| 地址: | 200241 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 等離子體沉積設備 平板電極結(jié)構(gòu) 等離子體氣相沉積 本實用新型 電極結(jié)構(gòu) 電極板 間隔設置 氣相沉積 均勻性 通孔 應用 保證 | ||
本實用新型涉及等離子體氣相沉積領域,公開了一種平板電極結(jié)構(gòu)和應用了該電極結(jié)構(gòu)的等離子體沉積設備,電極結(jié)構(gòu)包括:若干個彼此之間間隔設置的電極板;并且每個電極板上都設置有若干個通孔。設置了本實用新型的平板電極結(jié)構(gòu)的等離子體沉積設備,能夠提高等離子體氣相沉積的均勻性,保證氣相沉積的質(zhì)量。
技術(shù)領域
本實用新型涉及等離子體氣相沉積領域,特別涉及一種平板電極結(jié)構(gòu)和應用了該種平板電極結(jié)構(gòu)的等離子體沉積設備。
背景技術(shù)
等離子氣相沉積技術(shù)指的是在真空條件下,將作為材料源的氣態(tài)原子、分子或離子等形成等離子體,在高頻或直流電場作用下,通入適量的氣體,利用等離子體放電,在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。
其中,平板電極等離子體氣相沉積是一種常見的化學沉積。在現(xiàn)有技術(shù)中,由于平行于電極板的平面上電場分布最均勻,因此能夠得到一致性最好的沉積。沉積的均勻性是沉積質(zhì)量的最重要的指標之一,所以用來沉積的平板襯底都是平行電極板放置,從而減少電場分布帶來的影響。
但是,在等離子體氣相沉積中,影響沉積均勻性的因素除了電場的分布,還有氣壓的分布。而對于現(xiàn)有的實心平板電極來說,同一面上的電場分布可以很均勻,但對于氣流的分布就不是很有利。例如,對于電極板邊緣部分,由于空間大,氣流阻力小,氣體交換迅速,會有比較快的沉積速率;而對于電極板中心的區(qū)域,由于氣阻大,氣體交換慢,相對于邊緣部分的沉積速率較低,這樣就導致了平板沉積中,四周邊緣的沉積速率與中心區(qū)域的差異,影響了沉積的均勻性。由于沉積不均勻?qū)е鲁练e表面凹凸不平,因此需要做出改進。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種平板電極結(jié)構(gòu)以及應用了該種平板電極結(jié)構(gòu)的真空等離子設備。本實用新型有利于提高等離子體氣相沉積的均勻性,保證氣相沉積的質(zhì)量。
具體來說,本實用新型提供了一種平板電極結(jié)構(gòu),用于等離子體沉積設備,包括:
若干個彼此之間間隔設置的電極板;
每個電極板上都設置有若干個通孔。
本實用新型還提供了一種等離子體沉積設備,包括上述的平板電極結(jié)構(gòu)和真空腔體的真空等離子設備。
本實用新型通過在電極板上設置若干通孔,改變氣壓的分布,大大改善了電極間中心區(qū)域的氣體流通,使得平板電極間整個區(qū)域氣流分布均勻,從而使各處氣流交換速率相近。本實用新型能夠控制各處以相近的速率沉積,提高等離子體氣相沉積的均勻性。
作為優(yōu)選,在電極板中,至少有一個電極板上的通孔的數(shù)量大于或等于4個,且這些通孔在該電極板的表面呈陣列分布。
設置多個通孔,能夠調(diào)節(jié)氣壓的分布,使之更加均勻、合理,改變通孔的數(shù)量可以對電極間中心區(qū)域的氣體流通過性進行調(diào)節(jié),最終達到減小氣壓分布對沉積影響的目的。
進一步地,作為優(yōu)選,相鄰的兩個電極板上的通孔相互交錯設置。
在不影響電場分布的前提下,在兩個電極板上交錯設置通孔,延長了氣體的行程,使氣體交換更充分,從而實現(xiàn)更均勻地沉積。
此外,作為優(yōu)選,各個電極板的規(guī)格都相同。
保證各個電極板的規(guī)格都相同,可以確保產(chǎn)生的電場相似,使等離子體氣相沉積在基本相同的環(huán)境下發(fā)生,有利于鍍膜均勻。
此外,作為優(yōu)選,通孔為方形,通孔使得電極板上未設置通孔的部位形成柵格陣列。
采用柵格陣列,適當控制通孔的尺寸,使通孔整齊排布,縮小了平板襯底中心區(qū)域與邊緣區(qū)域的沉積速率存在的差異。
進一步地,作為優(yōu)選,通孔與所述電極板上未設置通孔的部位的邊線倒有圓角。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海稷以科技有限公司,未經(jīng)上海稷以科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721276233.X/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





