[實用新型]一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721271978.7
• 申請日: 2017-09-29
• 公開（公告）號: CN207181908U
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田茂坤;王瑞;黃中浩;諶偉
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11319
• 代理人: 莎日娜

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的TN型液晶顯示器中，一般采用像素電極ITO和公共電極COM交疊形成存儲電容，如圖1所示，公共電極1'環(huán)繞像素電極4'設(shè)置，其對應(yīng)的形成存儲電容Cst部分的截面圖即圖1的A'-A'截面示意圖，如圖2所示，其中，公共電極1'與其所在像素的薄膜晶體管的柵極層Gate同層設(shè)置，公共電極1'與像素電極4'以及二者之間的柵絕緣層2'、鈍化層3'共同形成存儲電容Cst。

因為公共電極1'與像素電極4'交疊部分不透光，如果增大存儲電容會導(dǎo)致像素的開口率減小，如果要保持較大的開口率，則像素的存儲電容又會滿足不了要求。

實用新型內(nèi)容

本實用新型提供了一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，在保證存儲電容的情況下增大開口率。

第一方面，本實用新型提供一種陣列基板，包括：由相互交叉的柵線和數(shù)據(jù)線劃分的成陣列分布的多個像素單元對，相鄰行的所述像素單元對之間具有兩條所述柵線，所述像素單元對包括第一像素單元和第二像素單元，所述第一像素單元和所述第二像素單元之間具有依次層疊設(shè)置在基板上的柵絕緣層、第一金屬層、鈍化層和像素電極層；

其中，所述像素電極層與所述第一金屬層在所述基板上的正投影部分重疊，形成存儲電容，所述第一金屬層與所述像素單元對的公共電極層搭接。

可選地，所述第一金屬層與所述像素單元對的薄膜晶體管的源漏層同層設(shè)置。

可選地，所述公共電極層與所述像素單元對的薄膜晶體管的柵極層同層設(shè)置。

可選地，在所述鈍化層形成有搭接所述第一金屬層與所述像素單元對公共電極層的半搭孔，所述半搭孔內(nèi)形成有導(dǎo)電層，實現(xiàn)所述第一金屬層與所述像素單元對的公共電極層的搭接。

可選地，所述導(dǎo)電層與所述像素電極層同層設(shè)置。

可選地，所述陣列基板為TN-LCD陣列基板。

可選地，所述陣列基板為Z反轉(zhuǎn)像素結(jié)構(gòu)的陣列基板。

可選地，所述鈍化層的厚度為

可選地，所述柵絕緣層的厚度為

第二方面，本實用新型提供了一種顯示面板，包括上述陣列基板。

第三方面，本實用新型提供了一種顯示裝置，包括上述顯示面板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型實施例具有以下優(yōu)點：

本實用新型實施例的陣列基板，在像素單元對之間具有依次層疊設(shè)置的柵極絕緣層、第一金屬層、鈍化層和像素電極層，且由第一金屬電極層與像素電極層構(gòu)成存儲電容，與現(xiàn)有技術(shù)相比，減小了存儲電容兩個電極間的介質(zhì)的厚度，可以增大電容，在保證存儲電容大小的基礎(chǔ)上，還可以減小第一金屬的尺寸，從而增大開口率。

附圖說明

圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)的一種陣列基板的局部平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1的A'-A'截面示意圖；

圖3所示為本實用新型實施例的一種陣列基板的局部平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4所示為圖3的A-A截面示意圖；

圖5所示為圖3的B-B截面示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲取的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

參照圖3和圖4所示，本實用新型實施例的陣列基板包括由相互交叉的柵線62和數(shù)據(jù)線61劃分的成陣列分布的多個像素單元對，相鄰行的像素單元對之間具有兩條所述柵線62，像素單元對包括第一像素單元51和第二像素單元52，其中，在一具體實現(xiàn)方式中，所述陣列基板為Z反轉(zhuǎn)像素結(jié)構(gòu)的陣列基板，第一像素單元51和第二像素單元52之間具有層疊設(shè)置在基板上的柵絕緣層2、第一金屬層11、鈍化層3和像素電極層4。

其中，像素電極層4與第一金屬層11在基板上的正投影部分重疊，形成存儲電容，且第一金屬層11與像素單元對的公共電極層12搭接，以實現(xiàn)第一金屬層11與公共電極層12的電連接。

這樣，由第一金屬層11與像素電極層4構(gòu)成存儲電容，減小了存儲電容兩個電極間的介質(zhì)的厚度，可以增大電容，在保證存儲電容大小的基礎(chǔ)上，還可以減小第一金屬層11的尺寸，從而增大開口率。