[實用新型]電容器陣列、半導體器件

有效

• 申請號: 201721270885.2
• 申請日: 2017-09-29
• 公開（公告）號: CN207409480U
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L27/108
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種電容器陣列，其特征在于，包括：

一襯底，具有一形成有電容器的器件區和一位于所述器件區外圍的外圍區；

一下電極，設置在所述襯底的所述器件區上，且所述下電極具有多個筒狀結構；

一第一支撐層，形成在所述襯底的所述器件區上，所述第一支撐層連接所述下電極的多個所述筒狀結構，并延伸至所述器件區的邊界；

一電容介質層，形成在所述下電極的內外表面；及，

一上電極，對應于所述下電極的內外表面而形成在所述電容介質層的表面，由所述上電極、所述電容介質層和所述下電極構成電容。

2.如權利要求1所述的電容器陣列，其特征在于，還包括：

一保護環，位于所述襯底的所述外圍區沿著所述器件區的區域上。

3.如權利要求1所述的電容器陣列，其特征在于，還包括：

一第二支撐層，有間隔地位于所述第一支撐層上并連接所述下電極的所述筒狀結構，所述第二支撐層延伸至所述器件區的邊界，且所述第二支撐層與所述第一支撐層在不同的高度位置上。

4.如權利要求3所述的電容器陣列，其特征在于，還包括：

一第三支撐層，設置于所述第二支撐層上并位于所述下電極的頂部，且所述第三支撐層中形成有一通口，所述通口的高度投影區中對應有所述下電極的所述筒狀結構的頂部端口的一部分。

5.如權利要求4所述的電容器陣列，其特征在于，所述下電極的所述筒狀結構中，對應在所述通口中的筒側壁的高度低于不對應在所述通口中的筒側壁的高度，從而使所述筒狀結構在覆蓋有所述第三支撐層時筒內部和筒外部相互連通的連通口的尺寸增加。

6.如權利要求4所述的電容器陣列，其特征在于，所述第三支撐層中不對應所述通口的部分相互連接而構成一個整體，所述第三支撐層、所述第二支撐層和所述第一支撐層均與多個所述筒狀結構連接，以對多個所述筒狀結構進行支撐。

7.一種半導體器件，其特征在于，包括：

一襯底，具有一形成有電容器的器件區和一位于所述器件區外圍的外圍區，且在所述襯底上的所述器件區中還形成有一節點接觸，所述節點接觸與所述電容器電性連接；

一下電極，設置在所述襯底的所述器件區上并與所述節點接觸電性連接，且所述下電極具有一筒狀結構；

一支撐層，形成在所述襯底的所述器件區上，所述支撐層連接所述下電極的所述筒狀結構，并延伸至所述器件區的邊界；

一電容介質層，形成在所述下電極的內外表面上；及，

一上電極，對應于所述下電極的內外表面而形成在所述電容介質層的表面上，由所述上電極、所述電容介質層和所述下電極構成電容。

8.如權利要求7所述的半導體器件，且特征在于，在所述襯底上還形成有一存儲單元，所述存儲單元與所述節點接觸電性連接。

9.如權利要求7或8所述的半導體器件，其特征在于，在所述襯底上形成有多個電容器，多個所述電容器的多個所述下電極均與同一支撐層連接。