[實用新型]一種陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201721270216.5
• 申請日: 2017-09-29
• 公開（公告）號: CN207367975U
• 公開（公告）日: 2018-05-15
• 發明（設計）人: 羊振中;周婷婷
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李弘

1.一種陣列基板，包括呈陣列排布的多個像素單元，所述像素單元包括像素電極，不同所述像素單元的像素電極間隔設置，其特征在于，在相鄰兩個像素電極的上方或下方設置導電層，用于在施加預設電位時與相鄰兩個像素電極分別形成第一等效電容和第二等效電容。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一等效電容、所述第二等效電容以及相鄰像素電極之間的第三等效電容均設置為相等。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一等效電容的計算表達式為：CA＝ε*W*L/TA；其中，CA為第一等效電容，ε為電導率，W為導電層與像素電極重疊部分的寬度；L為導電層與像素電極重疊部分的長度；TA為第一等效電容的厚度；

所述第二等效電容的計算表達式為：CB＝ε*W*L/TB；其中，CB為第二等效電容，TB為第二等效電容的厚度；

所述第三等效電容的計算表達式為：CAnode＝ε*TO*L/D；其中，CAnode為第三等效電容，TO為像素電極的厚度，D為相鄰像素電極之間的距離；

令第一等效電容、第二等效電容以及第三等效電容相等，推導得到導電層等效電容設計表達式為：W＝TA*TO/D或者W＝TB*TO/D。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導電層采用低反射率導電材料。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述低反射率導電材料為Mo、Ti或者Cu。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導電層與所述像素電極通過無機薄膜隔離。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述無機薄膜采用氧化硅或者氮化硅。

8.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導電層與所述像素電極通過有機薄膜隔離。

9.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求1-8任一項所述的陣列基板。