[實用新型]直流鹵素燈智能軟啟動電路

有效

• 申請號: 201721261285.X
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN207706500U
• 公開（公告）日: 2018-08-07
• 發明（設計）人: 陸建
• 申請（專利權）人: 北京華晟源醫療科技有限公司
• 主分類號: H05B39/02
• 分類號: H05B39/02
• 代理公司: 北京中企鴻陽知識產權代理事務所(普通合伙) 11487
• 代理人: 郭鴻雁

1.一種直流鹵素燈智能軟啟動電路，其特征在于，包括MCU處理器，控制開關、鹵素燈、采樣單元、軟啟動控制單元；所述控制開關與MCU處理器相連接；所述MCU控制器的PWM輸出引腳與軟啟動控制單元相連接；所述軟啟動控制單元與MCU控制器的ADC采樣引腳之間連接有采樣單元；所述軟啟動控制單元的輸出端連接鹵素燈；

所述軟啟動控制單元包括雙MOS電路和接地電阻；所述雙MOS電路的輸入端與MCU控制器的PWM輸出引腳相連接，所述雙MOS電路的控制端連接第一電壓源，所述雙MOS電路的輸出端與鹵素燈相連接，雙MOS電路中與MCU控制器的PWM輸出引腳連接的MOS管的漏極連接接地電阻的一端，所述接地電阻的另一端接地。

2.根據權利要求1所述的直流鹵素燈智能軟啟動電路，其特征在于，所述雙MOS電路包括PMOS場效應管、NMOS場效應管、第一二極管、第二二極管和接地電阻；所述PMOS場效應管的柵極連接MCU控制器的PWM輸出引腳，漏極串聯接地電阻接地，源極連接第一電壓源；所述PMOS場效應管的源極連接第一二極管的陰極；所述第一二極管的陽極連接PMOS場效應管的漏極；所述NMOS場效應管的柵極與PMOS場效應管的漏極相連；所述NMOS場效應管源極連接第二二極管的陽極，并連接采樣電阻；所述第二二極管的陰極與NMOS場效應管的漏極連接，并連接鹵素燈。

3.根據權利要求1所述的直流鹵素燈智能軟啟動電路，其特征在于，所述雙MOS電路采用型號為SI4599DY的雙MOS集成芯片。

4.根據權利要求1所述的直流鹵素燈智能軟啟動電路，其特征在于，MCU處理器的電源輸入管腳和接地管腳之間通過濾波單元相連接；濾波單元包括第一濾波電容和第二濾波電容；所述第一濾波電容與第二濾波電容并聯。

5.根據權利要求1所述的直流鹵素燈智能軟啟動電路，其特征在于，MCU處理器采用型號為STC15W408AS的單片機芯片。

6.根據權利要求1所述的直流鹵素燈智能軟啟動電路，其特征在于，所述鹵素燈為直流供電。

7.根據權利要求6所述的直流鹵素燈智能軟啟動電路，其特征在于，所述鹵素燈的直流電壓為12V。