[實用新型]一種用于8寸晶圓片的快速清洗槽

有效

• 申請號: 201721254008.6
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN207250468U
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發明（設計）人: 周文華
• 申請（專利權）人: 上海強華實業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京力量專利代理事務所(特殊普通合伙)11504
• 代理人: 宋林清

技術領域

本實用新型屬于半導體制造技術領域，特別涉及一種用于8寸晶圓片的快速清洗槽。

背景技術

公開號為CN1567538A的專利文件，提到“在半導體制造過程中，晶圓的潔凈度對制造的合格率有莫大的影響。有鑒于此，通常必須在每一道半導體工藝進行之前，以及工藝完成之后，另外再進行一道晶圓洗凈的步驟，借以清除附著在晶圓上的材料微粒和化學殘留物等。目前，在晶圓洗凈的程序中，快速排水清洗法是相當常見的一種晶圓清洗方式。所謂快速排水清洗法是先將放在晶圓座(Wafer Stand)上的晶圓完全浸泡于快速排水清洗槽里的去離子水中，再快速地排除快速排水清洗槽中的去離子水，在此同時，對晶圓座上的晶圓噴灑去離子水，以沖洗晶圓。通常，在多槽式(Multi-bath)的濕式機臺(Wet Bench)上，晶圓于每一化學液槽程序后，一般會緊接著快速排水清洗槽步驟，借以去除上一程序中，沾附于晶圓上的工藝微粒和化學殘留物”。在上述環節中，快速排水清洗槽(Quick Dump Rinse Tank；QDR Tank)是一種關鍵設備。

如圖1所示，是一種現有的快速清洗槽。實際清洗時，8寸晶圓片放置在晶圓片載具上，在晶圓片載具的下方設置有噴淋管和氮氣管，水柱從噴淋管噴射出來，由于氮氣管噴出的氮氣的作用，在清洗槽內形成了純水渦流氣泡，在渦流氣泡的作用下，晶圓片被清洗干凈。

但是，這種方法也有弊端。由于渦流運動不夠穩定，也難以控制，因此，對于晶圓片的清洗力度只能依賴經驗和估計，難以精確控制清洗效果。

實用新型內容

本實用新型提供一種用于8寸晶圓片的快速清洗槽，目的在于解決現有的快速清洗槽在清洗晶圓片時，清洗力度難以精確控制的問題。

一種用于8寸晶圓片的快速清洗槽，8寸晶圓片被放置在晶圓片載具內，當所述晶圓片載具放置在所述快速清洗槽內時，在對應所述晶圓片載具內晶圓片的兩側設置有噴淋管，

所述噴淋管的角度設置使得當水柱從噴淋管噴出時，水柱直接噴射到晶圓片的表面。

在所述晶圓片載具兩側設置的噴淋管的角度設置是對稱的，使得兩側噴淋管噴射到晶圓片表面的水柱呈現為對稱狀態。

在所述晶圓片載具兩側沿著晶圓片載具方向設置的噴淋管的數量對應在所述晶圓片載具內裝載的晶圓片的數量，保證每對噴淋管對應一片晶圓片。

所述晶圓片載具安放在所述快速清洗槽底部的立柱上。

本實用新型改變了現有的清洗方式設計，僅設置快速清洗槽兩側噴淋管，清洗水柱直接噴射到晶圓片表面，實現了對晶圓片清洗力度的精確控制。

附圖說明

通過參考附圖閱讀下文的詳細描述，本實用新型示例性實施方式的上述以及其他目的、特征和優點將變得易于理解。在附圖中，以示例性而非限制性的方式示出了本實用新型的若干實施方式，其中：圖1現有技術中快速清洗槽的一種清洗方式示意圖。

圖2是圖1的清洗槽的側面示意圖。

圖3是本實用新型的清洗槽的清洗方式示意圖。

1——8寸晶圓片，2——晶圓片載具，3——清洗槽，4——噴淋管，5——氮氣管，6——水柱。

具體實施方式

如圖3所示，本實用新型的快速清洗槽，8寸晶圓片被放置在晶圓片載具內，當所述晶圓片載具放置在所述快速清洗槽內時，在對應所述晶圓片載具內晶圓片的兩側設置有噴淋管。

所述噴淋管的角度設置使得當水柱從噴淋管噴出時，水柱直接噴射到晶圓片的表面。

在所述晶圓片載具兩側設置的噴淋管的角度設置是對稱的，使得兩側噴淋管噴射到晶圓片表面的水柱呈現為對稱狀態。

在所述晶圓片載具兩側沿著晶圓片載具方向設置的噴淋管的數量對應在所述晶圓片載具內裝載的晶圓片的數量，保證每對噴淋管對應一片晶圓片。

所述晶圓片載具安放在所述快速清洗槽底部的立柱上。

值得說明的是，雖然前述內容已經參考若干具體實施方式描述了本實用新型創造的精神和原理，但是應該理解，本實用新型并不限于所公開的具體實施方式，對各方面的劃分也不意味著這些方面中的特征不能組合，這種劃分僅是為了表述的方便。本實用新型旨在涵蓋所附權利要求的精神和范圍內所包括的各種修改和等同布置。