[實用新型]一種低正向電壓TVS器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721251979.5 | 申請日: | 2017-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN207233732U | 公開(公告)日: | 2018-04-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 鄒有彪;徐玉豹;劉宗賀;廖航 | 申請(專利權)人: | 安徽富芯微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L29/06;H01L21/822 |
| 代理公司: | 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙)11390 | 代理人: | 胡劍輝 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 正向 電壓 tvs 器件 | ||
1.一種低正向電壓TVS器件,其特征在于:低正向電壓TVS器件包括N+型半導體基體,位于N+型半導體基體上方的N-型外延層,位于N-型外延層中的P+型擴散區(qū)且P+型擴散區(qū)的底部延伸至N+型半導體基區(qū)內部,位于N-型外延層上表面的氧化層(1)及肖特基勢壘金屬層(2),位于N-型外延層和P+型擴散區(qū)上方設有與接電極T1的金屬層(3),位于N+型半導體基體下方用于連接電極T2的金屬層(4)。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種低正向電壓TVS器件,其特征在于:所述P+型擴散區(qū)的底部延伸至N+型半導體基區(qū)內部的深度為2-20um。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于安徽富芯微電子有限公司,未經(jīng)安徽富芯微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721251979.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





