[實用新型]電平轉換電路

有效

• 申請號: 201721238140.8
• 申請日: 2017-09-26
• 公開（公告）號: CN207559971U
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 孟晨;王富中
• 申請（專利權）人: 格科微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電平轉換電路，其特征在于，包括：

上拉電路，連接至第一正電源；

下拉電路，連接至第二正電源及公共負電源或地端，所述第二正電源提供相位相反的兩個輸入信號至所述下拉電路；

限壓電路，連接于所述上拉電路與所述下拉電路之間，并連接一偏置電壓；

其中，所述下拉電路采用工作電壓低、速度快、工作在輸入電源域的器件類型，提高電平轉換能力，減少面積；所述限壓電路和所述上拉電路采用工作電壓高、速度慢、工作在輸出電源域的器件類型。

2.根據權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，所述上拉電路包括：

第一PMOS晶體管，其源極連接所述第一正電源，漏極連接第一節點，柵極連接第二節點；

第二PMOS晶體管，其源極連接所述第一正電源，漏極連接第二節點，柵極連接第一節點；

所述第一PMOS晶體管和所述第二PMOS晶體管為工作電壓高、速度慢、工作在輸出電源域的器件類型。

3.根據權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，所述限壓電路保證所述下拉電路器件的漏極電壓小于等于所述偏置電壓。

4.根據權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，還包括偏置電壓產生電路，所述偏置電壓產生電路輸出所述偏置電壓至所述限壓電路。

5.根據權利要求4所述的電平轉換電路，其特征在于，所述限壓電路包括：

第一NMOS晶體管，其漏極連接第一節點，柵極連接所述偏置電壓產生電路；

第二NMOS晶體管，其漏極連接第二節點，柵極連接所述偏置電壓產生電路；

所述第一NMOS晶體管和所述第二NMOS晶體管為工作電壓高、速度慢、工作在輸出電源域的器件類型。

6.根據權利要求5所述的電平轉換電路，其特征在于，所述下拉電路包括：

第三NMOS晶體管，其漏極連接所述第一NMOS晶體管的源極，源極連接公共負電源或地端，柵極連接一個輸入信號；

第四NMOS晶體管，其漏極連接所述第二NMOS晶體管的源極，源極連接公共負電源或地端，柵極連接另一個輸入信號；

所述第三NMOS晶體管和所述第四NMOS晶體管為工作電壓低、速度快、工作在輸入電源域的器件類型。

7.一種電平轉換電路，其特征在于，包括：

下拉電路，連接至第一負電源；

上拉電路，連接至第二負電源及公共正電源或地端，所述第二負電源提供相位相反的兩個輸入信號至所述上拉電路；

限壓電路，連接于所述上拉電路與所述下拉電路之間，并連接一偏置電壓；

其中，所述上拉電路構采用工作電壓低、速度快、工作在輸入電源域的器件類型，提高電平轉換能力，減少面積；所述限壓電路和所述下拉電路采用工作電壓高、速度慢、工作在輸出電源域的器件類型。

8.根據權利要求7所述的電平轉換電路，其特征在于，所述下拉電路包括：

第一NMOS晶體管，其源極連接所述第一負電源，漏極連接第一節點，柵極連接第二節點；

第二NMOS晶體管，其源極連接所述第一負電源，漏極連接第二節點，柵極連接第一節點；

所述第一NMOS晶體管和所述第二NMOS晶體管為工作電壓高、速度慢、工作在輸出電源域的器件類型。

9.根據權利要求7所述的電平轉換電路，其特征在于，所述限壓電路保證所述上拉電路器件的漏極電壓大于等于所述偏置電壓。

10.根據權利要求7所述的電平轉換電路，其特征在于，還包括偏置電壓產生電路，所述偏置電壓產生電路輸出所述偏置電壓至所述限壓電路。