[實用新型]一種紫外LED芯片

有效

• 申請號: 201721230900.0
• 申請日: 2017-09-22
• 公開（公告）號: CN207529970U
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發明（設計）人: 何苗;楊思攀;趙韋人;王成民
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱宗力;王寶筠

1.一種紫外LED芯片，其特征在于，包括：

第一襯底；

位于所述第一襯底第一表面的PN結結構，所述PN結結構包括基于所述第一襯底第一表面上排列生長的外延結構，依次包括氮化硅層、N型硅層、P型硅層、P型接觸層和薄膜導電層；

位于所述第一襯底第二表面上粘結的倒置后的外延結構，所述外延結構包括位于所述第一襯底第二表面依次排列的反射層、透明導電層、P型氮化鎵層、P型氮化鎵鋁層、電子阻擋層、多量子阱層、電流擴展層和N型氮化鎵鋁層，部分暴露出的透明導電層表面包括第一區域和P型電極區域，所述P型氮化鎵層覆蓋所述第一區域，所述P型電極區域表面設置有P型電極；

位于所述N型氮化鎵鋁層表面設置的N型電極；

所述外延結構的一端具有刻蝕處理后形成的凹凸臺面，所述凹凸臺面的刻蝕深度從頂部的N型氮化鎵鋁層開始直到暴露出透明導電層的P型電極區為止；

位于所述凹凸臺面內，貫穿所述透明導電層、反射層、第一襯底和氮化硅層的凹槽，所述凹槽基于所述凹凸臺面刻蝕這一端的PN結結構形成；

所述凹槽中填充有內部接觸層和隔離層，所述外延結構中的P型電極通過所述內部接觸層與所述PN結結構中的N型硅層電連接，所述隔離層包裹所述內部接觸層四周，以使所述內部接觸層的側壁與所述透明導電層、反射層和第一襯底均絕緣；

連接所述外延結構中N型電極與所述PN結結構中薄膜導電層的外部電極結構。

2.根據權利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，還包括：

覆蓋所述凹凸臺面裸露表面的鈍化層。