[實用新型]一種半導體激光bar條

有效

• 申請號: 201721223023.4
• 申請日: 2017-09-21
• 公開（公告）號: CN207183793U
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發明（設計）人: 關永莉;米洪龍;梁健;李小兵;王琳;董海亮
• 申請（專利權）人: 山西飛虹微納米光電科技有限公司
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024;H01S5/022
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體激光bar條，其特征在于，包括：GaAs外延片，其中，所述GaAs外延片從上往下依次為：P-GaAs歐姆接觸層、P-GaAs限制層、P-GaAs波導層、量子阱、N-GaAs波導層、N-GaAs限制層和GaAs襯底；

所述P-GaAs歐姆接觸層上刻蝕有脊型電流注入區和非注入區，且部分所述P-GaAs限制層未被所述P-GaAs歐姆接觸層覆蓋住；

所述GaAs外延片上刻蝕有光隔離區，所述光隔離區為從所述P-GaAs限制層未被所述P-GaAs歐姆接觸層覆蓋住的部分開始刻蝕，直到將所述P-GaAs限制層、P-GaAs波導層、量子阱、N-GaAs波導層刻穿所對應的被刻蝕掉的區域；

在所述P-GaAs歐姆接觸層以及未被所述P-GaAs歐姆接觸層覆蓋住的部分所述P-GaAs限制層上方形成有電流限制層，其中，所述電流限制層被刻蝕掉一部分以露出所述脊型電流注入區；

所述電流限制層和所述脊型電流注入區上方形成有P面金屬電極層，所述P面金屬電極層上設置有電隔離區；

所述GaAs襯底遠離所述N-GaAs限制層的一面形成有N面金屬電極層。

2.根據權利要求1所述半導體激光bar條其特征在于，所述電流限制層被刻蝕掉一部分，且保留所述脊型電流注入區邊緣上方的電流限制層，以露出所述脊型電流注入區的中間區域。

3.根據權利要求1所述半導體激光bar條，其特征在于，

所述光隔離區對應的刻蝕寬度為15～25um；

和/或，

所述電流限制層使用的膜層材料為氧化硅和氧化鈦中的至少一種；

和/或，

所述電流限制層的膜層厚度為120～170um；

和/或，

所述電隔離區的寬度為40～60um。

4.根據權利要求1所述半導體激光bar條，其特征在于，所述P面金屬電極層從靠近所述電流限制層到遠離所述電流限制層的方向上依次包括：Ti層、Pt層和Au層。

5.根據權利要求4所述半導體激光bar條，其特征在于，

Ti層的厚度為0.4～0.6um；

和/或，

Pt層的厚度為0.4～0.6um；

和/或，

Au層的厚度為1.3～1.7um。

6.根據權利要求1所述半導體激光bar條，其特征在于，

所述GaAs襯底的厚度為120～140um；

和/或，

所述N面金屬電極層從靠近所述GaAs襯底到遠離所述GaAs襯底的方向上依次包括：AuGeNi合金層和Au層。

7.根據權利要求6所述半導體激光bar條，其特征在于，

所述AuGeNi合金層的厚度為0.4～0.6um；

和/或，

所述Au層的厚度為18～22um。

8.根據權利要求1所述半導體激光bar條，其特征在于，所述半導體激光bar條的前腔鍍有高透膜，所述半導體激光bar條的后腔鍍有高反膜。

9.根據權利要求8所述半導體激光bar條，其特征在于，

所述高透膜從靠近所述半導體激光bar條的前腔到遠離所述半導體激光bar條的前腔的方向上依次包括：ZnSe膜層和SiO₂膜層；

和/或，

所述高反膜從靠近所述半導體激光bar條的后腔到遠離所述半導體激光bar條的后腔的方向上依次包括：Zn膜層、Si膜層和SiO₂膜層。