[實用新型]一種等離子減薄裝置有效
| 申請號: | 201721215002.8 | 申請日: | 2017-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN207282468U | 公開(公告)日: | 2018-04-27 |
| 發明(設計)人: | 鄧輝 | 申請(專利權)人: | 南方科技大學 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司44205 | 代理人: | 謝岳鵬 |
| 地址: | 518055 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 等離子 裝置 | ||
1.一種等離子減薄裝置,其特征在于,包括第一電極、第二電極、惰性氣體供給裝置與刻蝕氣體供給裝置,其中,所述第一電極與第二電極平行設置,二者之間具有間隙,所述惰性氣體供給裝置用于向所述間隙內通入惰性氣體,以在所述間隙內形成等離子體,所述等離子體向所述間隙外噴出形成等離子體火焰,所述刻蝕氣體供給裝置用于向所述等離子體火焰中通入刻蝕氣體。
2.根據權利要求1所述的等離子減薄裝置,其特征在于,所述等離子體火焰的長度大于10mm。
3.根據權利要求1或2所述的等離子減薄裝置,其特征在于,還包括用于承載待加工工件的工作臺,所述間隙正對所述工作臺。
4.根據權利要求3所述的等離子減薄裝置,其特征在于,還包括移動模組,所述移動模組用于驅動所述工作臺相對所述第一電極、第二電極運動,或者驅動所述第一電極、第二電極相對所述工作臺運動。
5.根據權利要求1或2所述的等離子減薄裝置,其特征在于,所述惰性氣體為氦氣或者氬氣。
6.根據權利要求1或2所述的等離子減薄裝置,其特征在于,所述刻蝕氣體為四氟化碳或者六氟化硫。
7.根據權利要求1或2所述的等離子減薄裝置,其特征在于,由所述惰性氣體供給裝置噴射出的惰性氣體吹掃位于所述間隙內的等離子體以形成所述等離子體火焰。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





