[實用新型]一種光纖陣列耦合組件有效
| 申請號: | 201721210067.3 | 申請日: | 2017-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN207268798U | 公開(公告)日: | 2018-04-24 |
| 發明(設計)人: | 何在新;王凱;陳維東 | 申請(專利權)人: | 深圳加華微捷科技有限公司 |
| 主分類號: | G02B6/42 | 分類號: | G02B6/42;G02B6/43 |
| 代理公司: | 深圳市華優知識產權代理事務所(普通合伙)44319 | 代理人: | 李麗君 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區新*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光纖 陣列 耦合 組件 | ||
技術領域
本實用新型涉及光通信領域,特別是涉及一種光纖陣列耦合組件。
背景技術
近年來,由于光通信和計算機領域中機群、網絡運算系統的迅猛發展,用于信息領域中各種新型被動器件和主動器件大量涌現。用于寬帶高速領域的面發射激光陣列VCSEL芯片、光接收PIN芯片、各種用途的復用、解復用、分束器等平面波導芯片、微光機電開關MEMS芯片等相繼研制成功。上述芯片要封裝制作成實用器件時,必須要有極高精度的光纖陣列組件作為芯片的輸入和輸出耦合接口,將上述芯片中的每一條光通路,和光纖陣列組件中相應的每一條光纖嚴格準確的對準,才能將光信號輸入、輸出,制作成長期穩定實用器件。上述器件的封裝技術是確保器件的優良光學特性的關鍵技術,同時,也是最耗費人力的工序,它是器件成本中最高部分之一。由于以上芯片都是采用光電子工藝研制成的,所以,器件的封裝技術對光纖陣列組件中每一條光纖位置的精度要求,必須與光刻線條的位置精度相匹配。所以,提供各種形狀的極高精度的光纖陣列組件的是保證光電子器件高質量的光學特性,提高封裝工藝效率,降低器件成本地最為關鍵的技術之一。
在現有技術中,光信號從光纖纖芯中射出時,光信號垂直照射到接收器件后,部分光信號被反射并沿入射方向返回,從而影響了光信號的傳輸,對光信號的接收面的光利用帶來影響。
實用新型內容
本實用新型主要解決的技術問題是提供一種光纖陣列耦合組件,能夠避免光信號垂直射向接收器件,提高了光利用率,同時可防止光信號中攜帶的信息丟失。
為解決上述技術問題,本實用新型采用的一個技術方案是:提供一種光纖陣列耦合組件,包括刻槽底板、蓋板及設置于二者中間的光纖纖芯;刻槽底板表面設置平行排列的凹形槽,光纖纖芯的裸露部分的端面設置為指定角度,指定角度是使信號從光纖纖芯裸露部分的端面射出時,發生全反射,且從光纖纖芯裸露部分的端面射出的信號以非直角的角度射入接收面。
其中,光纖纖芯的裸露部分的端面設置為指定角度設置為42°。
其中,光纖纖芯設置于刻槽底板的凹形槽表面,凹形槽的槽寬小于光纖纖芯的直徑。
其中,光纖纖芯在刻槽底板上構成一維光纖陣列。
區別于現有技術,本實用新型的光纖陣列耦合組件,包括刻槽底板、蓋板及設置于二者中間的光纖纖芯;刻槽底板表面設置平行排列的凹形槽,光纖纖芯的裸露部分的端面設置為指定角度,指定角度是使信號從光纖纖芯裸露部分的端面射出時,發生全反射,且從光纖纖芯裸露部分的端面射出的信號以非直角的角度射入接收面。通過本實用新型,能夠避免光信號垂直射向接收器件,提高了光利用率,同時可防止光信號中攜帶的信息丟失。
附圖說明
圖1是本實用新型提供的一種光纖陣列耦合組件的結構示意圖;
圖2是本實用新型提供的一種光纖陣列耦合組件中選取端面角度使射出到接收面不發生垂直照射的實施方式的示意圖。
具體實施方式
下面結合具體實施方式對本實用新型的技術方案作進一步更詳細的描述。顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型的一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例,都應屬于本實用新型保護的范圍。
參閱圖1,圖1是本實用新型提供的一種光纖陣列耦合組件的結構示意圖。該裝置100包括刻槽底板110、蓋板120及設置于二者之間的光纖纖芯130。刻槽底板110上設置平行排列的凹形槽111,用于容納光纖纖芯130形成一維光纖陣列。蓋板120設置于刻槽底板110上方,與刻槽底板110上設置的凹形槽111之間形成容納光纖纖芯130的縫隙。光纖纖芯130部分裸露于刻槽底板110與蓋板120形成的縫隙外側,且裸露部分的端面設置為與光纖纖芯130呈指定角度。所謂指定角度是指光信號從光纖纖芯130裸露部分的端面射出時,發生全反射,且從端面射出后射入接收面時,光信號發射方向與接收面形成的角度為非直角。
光信號從光密介質進入光疏介質時入射角增大到某臨界角時,會產生全反射。對應于本實用新型,光信號從光纖纖芯130中射出到空氣,即屬于從光密介質進入光疏介質。臨界角公式為:
其中,C為臨界角,n1和n2分別是光密介質和光疏介質的折射率。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳加華微捷科技有限公司,未經深圳加華微捷科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721210067.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





