[實用新型]一種用于準單晶制備的坩堝及多晶鑄錠爐有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721190830.0 | 申請日： | 2017-09-15 |
| 公開（公告）號： | CN207347693U | 公開（公告）日： | 2018-05-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 晏文勇;王全志;曾先平;鄧清香;李林東;陳偉;金浩 | 申請（專利權(quán)）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 羅滿 |
| 地址： | 334100 江西*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 準單晶 制備 坩堝 多晶 鑄錠 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種用于準單晶制備的坩堝，應用于多晶鑄錠爐，其特征在于，坩堝底部包括中心區(qū)域和邊緣區(qū)域，所述中心區(qū)域為用于擺放籽晶塊的載物區(qū)域，所述載物區(qū)域的載物平面與所述邊緣區(qū)域的底面具有預設高度差；所述載物區(qū)域為正方形，其各條邊與所述邊緣區(qū)域的各條邊之間的距離相等，所述載物區(qū)域的邊長為待擺放的每行各個所述籽晶塊的總長度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于準單晶制備的坩堝，其特征在于，所述載物區(qū)域為凸起設置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于準單晶制備的坩堝，其特征在于，所述載物區(qū)域為下凹設置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的用于準單晶制備的坩堝，其特征在于，所述預設高度差的范圍為5mm～10mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于準單晶制備的坩堝，其特征在于，所述預設高度差為5mm。
6.一種多晶鑄錠爐，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5任意一項所述的用于準單晶制備的坩堝。
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