[實用新型]二極管、功率器件及電力電子設備

有效

• 申請號: 201721182764.2
• 申請日: 2017-09-15
• 公開（公告）號: CN207303113U
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 曾丹
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L21/329
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 黃志華

1.一種二極管，其特征在于，包括：

第一導電型半導體襯底；

位于所述第一導電型半導體襯底第一側的第一導電型半導體外延層；

位于所述第一導電型半導體外延層遠離所述第一導電型半導體襯底一側的第二導電型半導體；

位于所述第一導電型半導體襯底第二側的電阻層；

位于所述電阻層遠離所述第一導電型半導體襯底一側的第一金屬層。

2.如權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述電阻層覆蓋所述第一導電型半導體襯底的第二側表面。

3.如權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述電阻層覆蓋所述第一導電型半導體襯底的第二側表面的部分區域。

4.如權利要求3所述的二極管，其特征在于，所述電阻層包括陣列排布的多個電阻單元。

5.如權利要求4所述的二極管，其特征在于，所述電阻單元在所述第一導電型半導體襯底上的正投影的形狀包括圓形、方形或多邊形。

6.如權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述電阻層與所述第一導電型半導體襯底位于同一物理結構層。

7.如權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述電阻層與所述第一導電型半導體襯底位于不同物理結構層。

8.如權利要求7所述的二極管，其特征在于，所述電阻層至少為兩層。

9.如權利要求7或8所述的二極管，其特征在于，所述電阻層的材質類型包括非晶硅層、氧化物半導體層或摻雜多晶硅層。

10.如權利要求1所述的二極管，其特征在于，

所述第一導電型半導體襯底為N型半導體襯底，所述第一導電型半導體外延層為N型半導體外延層；

所述第二導電型半導體為P型半導體。

11.如權利要求1所述的二極管，其特征在于，還包括耐壓終端結構，所述耐壓終端結構位于所述第一導電型半導體外延層遠離所述第一導電型半導體襯底的一側，且環繞所述第二導電型半導體設置。

12.一種功率器件，其特征在于，包括如權利要求1～11任一項所述的二極管。

13.一種電力電子設備，其特征在于，包括如權利要求12所述的功率器件。