[實用新型]基板氧化組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721177346.4 | 申請日： | 2017-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN208336146U | 公開（公告）日： | 2019-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 克里斯托弗·S·奧爾森;泰萬·基姆 | 申請（專利權(quán)）人： | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L21/02;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國;趙靜 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化層 氮層 氧化組件 基板 半導(dǎo)體器件 等離子體源 基板加熱器 基板支撐件 自由基氧化 底部區(qū)域 頂部區(qū)域 高縱橫比 腔室主體 氧化反應(yīng) 蒸汽源 縱橫比 共形 界定 蒸汽 流動 | ||
1.一種基板氧化組件，其特征在于，包括：
腔室主體，界定處理容積；
基板支撐件，設(shè)置在所述處理容積中；
等離子體源，耦接至所述處理容積；
蒸汽源，流體耦接至所述處理容積；以及
基板加熱器，能夠加熱至700℃與1100℃之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，進(jìn)一步包括有石英內(nèi)襯的導(dǎo)管，所述有石英內(nèi)襯的導(dǎo)管將所述蒸汽源流體耦接至所述處理容積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中所述處理容積包括等離子體容積，所述等離子體源耦接至所述等離子體容積，所述蒸汽源耦接至所述腔室主體的入口，以及所述等離子體容積位于所述入口與所述基板支撐件之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，進(jìn)一步包括耦接至所述腔室主體的氣體分配器，其中：
所述氣體分配器具有一個或多個入口，
所述蒸汽源流體耦接至所述一個或多個入口，以及
所述氣體分配器具有面向所述基板支撐件的一個或多個出口。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的組件，其中：
所述處理容積包括等離子體容積，
所述等離子體源耦接至所述等離子體容積；以及
所述等離子體容積位于所述氣體分配器與所述基板支撐件之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中所述等離子體源包括下列至少一個：遠(yuǎn)程等離子體源、磁控型等離子體源、改進(jìn)型磁控型等離子體源、遠(yuǎn)程等離子體氧源、電容耦合等離子體源、電感耦合等離子體源和環(huán)形等離子體源。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中所述蒸汽源包括下列至少一個：H2O注射器、超純H2O注射器、催化蒸汽發(fā)生器和致熱蒸汽源。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，進(jìn)一步包括可操作地耦接至所述基板支撐件的下列至少一個：輻射加熱源和導(dǎo)電加熱源。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中所述腔室能夠?qū)Ω呖v橫比結(jié)構(gòu)進(jìn)行共形自由基氧化。
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