[實用新型]一種平面MOS器件

有效

• 申請號: 201721176516.7
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN207303091U
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 袁力鵬;徐吉程;寧波
• 申請（專利權）人: 西安華羿微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種平面MOS器件，由至少一個單胞器件組成，每個單胞器件包括第一導電類型漏極區、位于所述第一導電類型漏極區上方的N+單晶硅襯底以及N-外延層、位于所述N-外延層上方的P型阱區層、位于所述P型阱區層上方的N+源極區層、位于所述N+源極區層上方的絕緣介質層、及位于所述絕緣介質層上方的源極金屬區層，其特征在于，還包括：

柵氧化層，其與所述P型阱區層和N+源極區層以及P型阱區接觸；

多晶硅層，其與柵氧化層接觸，頂部和側壁與所述絕緣介質層接觸；

接觸孔，所述接觸孔穿過絕緣介質層延伸至所述N-外延層，與所述N-外延層和所述N+源極區層接觸，所述接觸孔內填充有金屬，所述金屬的頂端連接所述源極金屬區層；

其中，所述單胞器件中的柵極區中心位置由所述絕緣介質層填充，所述絕緣介質層下方與N-外延層接觸，上方與所述源極金屬區層底部接觸。

2.根據權利要求1所述的一種平面MOS器件，其特征在于：所述單胞器件中的柵極區包括柵氧化層、多晶硅層和絕緣介質層，所述柵氧化層與P型阱區層和N+源極區層以及N-外延層接觸，所述多晶硅層的底部與柵氧化層接觸，頂部和側壁與絕緣介質層接觸，所述絕緣介質層的另一端側壁與多晶硅層和柵氧化層橫向接觸形成對稱結構。

3.根據權利要求1或2所述一種平面MOS器件，其特征在于：所述每個單胞器件中包含兩個并聯的MOSFET器件，其位于所述絕緣介質層的兩側。

4.根據權利要求3所述一種平面MOS器件，其特征在于：所述多晶硅層為N型重摻雜的多晶硅。