[實用新型]一種大動態高分辨率程控衰減器

有效

• 申請號: 201721175563.X
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN207399154U
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 李亞波
• 申請（專利權）人: 陜西博亞微波有限公司
• 主分類號: H03H11/24
• 分類號: H03H11/24
• 代理公司: 北京旭路知識產權代理有限公司 11567
• 代理人: 劉成春

本實用新型提供一種大動態高分辨率程控衰減器，包括一組依次串聯的單級射頻衰減電路，首端的單級射頻衰減電路的輸入端與射頻輸入電路連接，末端的單級射頻衰減電路的輸出端與射頻輸出電路連接，還包括一控制電路，所述控制電路分別與各單級射頻衰減電路相連接。

技術領域

本實用新型涉及電子元器件技術，特別是涉及一種大動態高分辨率程控衰減器。

背景技術

目前，國內外的程控衰減器多采用數控衰減器單片直接搭接完成，單片程控衰減器受控制位數、衰減量的限制，因此，衰減分辨率較粗、衰減范圍受限。雖然能夠在一定程度上滿足系統程控衰減的要求，但在動態范圍和分辨率要求較高的雷達信號模擬、雷達成像、空間系統領域上則面臨上述控制精度不夠、衰減分辨率較粗的問題。

隨著雷達信號模擬、高精度信號測量、雷達成像等技術領域的快速發展，對低插損、高精度的程控衰減器需求，要求更低的插損、更高的衰減精度、更低的功耗以及更寬的衰減范圍，這促進了高精度程控衰減器的快速發展。

國內現有的程控衰減器大多采用傳統的單片微組裝應用搭接技術，單片數控衰減器的衰減位數一般為5-6位，在衰減范圍不大的情況下，還可以滿足一般精度要求。但是對于較高的衰減范圍，位數過少就會帶來衰減的精度較差，衰減分辨率很粗的問題。

基于傳統的單片數控衰減器實現的程控衰減器位數較少，不能滿足高精度、大動態的要求，因此，在對程控衰減器要求更高控制精度、更高分辨率衰減值的系統中就無法適應。

實用新型內容

針對現有技術中存在的缺陷和不足，本實用新型的目的在于提供一種大動態高分辨率程控衰減器。

本實用新型的技術方案如下：

一種大動態高分辨率程控衰減器，其特征在于：包括一組依次串聯的單級射頻衰減電路，首端的單級射頻衰減電路的輸入端與射頻輸入電路連接，末端的單級射頻衰減電路的輸出端與射頻輸出電路連接，還包括一控制電路，所述控制電路分別與各單級射頻衰減電路相連接。

進一步的，所述單級射頻衰減電路包括π型衰減電路和由一組電容組成的參考路徑并聯組成的電路部分，并與前置的射頻開關和后置的射頻開關串聯組成。

進一步的，所述各單級射頻衰減電路拓撲設置于一電路板中，所述電路板背面為全裸鍍金結構。

進一步的，所述電路板中部的微帶線附近設置若干過孔，所述過孔連接電路板頂層和底層金屬并保證其接觸良好。

進一步的，所述單級射頻衰減電路中腔體為分腔結構，且其拓撲結構中單腔隔離，并留有射頻信號傳輸通道。

進一步的，所述腔體包括上蓋板、主腔體和下蓋板。

進一步的，所述控制電路為低紋波的電壓偏置電路，且控制電路與首端的單級射頻衰減電路的前置的射頻開關連接，并與各單級射頻衰減電路的后置的射頻開關連接。

進一步的，所述射頻開關采用CSWA2-63DR+芯片。

本實用新型的技術效果在于：

本實用新型采用串并聯的衰減網絡拓撲結構、通過多級開關芯片搭接、高速開關驅動電路，結合開關線電路，實現輸入信號的高精度、高衰減分辨率的程控衰減器。

本實用新型的大動態高功率射頻衰減器采用了低紋波的電壓偏置電路，用于抑制由于紋波不好給開關芯片帶來的隔離不足的問題，繼而保證了整個衰減鏈路的衰減精度。

為了降低信號傳導對輸出端的影響，本實用新型的電源及控制線印制板采用了背面全裸鍍金設計，保證與殼體接地良好；在電路板的微帶線附近增加足夠的過孔，使得頂層與底層金屬能夠接觸良好，從而保證了射頻支路的衰減分辨率。