[實用新型]內(nèi)存發(fā)光控制電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721172122.4
• 申請日: 2017-09-13
• 公開（公告）號: CN207184886U
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田景均
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市嘉合勁威電子科技有限公司
• 主分類號: H05B33/08
• 分類號: H05B33/08
• 代理公司: 深圳市精英專利事務(wù)所44242
• 代理人: 葛勤

1.一種內(nèi)存發(fā)光控制電路，其特征在于，所述內(nèi)存發(fā)光控制電路包括：

多個內(nèi)存條，每一內(nèi)存條設(shè)置有發(fā)光單元；

程序?qū)懭肽K，所述程序?qū)懭肽K用于寫入控制多個內(nèi)存條上發(fā)光單元發(fā)光的發(fā)光控制程序；

MCU芯片，所述MCU芯片與程序?qū)懭肽K電連接，用于接收并暫存寫入的發(fā)光控制程序，且MUC芯片分別與多個內(nèi)存條電連接，在確定所有內(nèi)存條的發(fā)光單元進行同步發(fā)光的時間基點后，根據(jù)選定的發(fā)光模式生成PWM控制信號；其中，所述發(fā)光控制程序與發(fā)光模式相對應(yīng)；

發(fā)光控制模塊，所述發(fā)光控制模塊與MCU芯片電連接，根據(jù)PWM控制信號生成控制指令，控制所有內(nèi)存條的發(fā)光單元按照寫入的發(fā)光控制程序進行發(fā)光。

2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存發(fā)光控制電路，其特征在于，所述內(nèi)存發(fā)光控制電路還包括：

晶振模塊，所述晶振模塊與MCU芯片電連接，用于為MUC芯片提供單個內(nèi)存條與MCU芯片交互的通信周期。

3.如權(quán)利要求2所述的內(nèi)存發(fā)光控制電路，其特征在于，所述晶振模塊包括晶振單元、第七電容及第八電容，所述第七電容及第八電容的端分別與MCU的兩個引腳電連接，另一端接地；所述晶振單元的分別兩端接第七電容與MCU的引腳連接的公共接點，及第八電容與MCU的引腳連接的公共接點。

4.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存發(fā)光控制電路，其特征在于，所述內(nèi)存發(fā)光控制電路還包括：

存儲模塊，所述存儲模塊與MCU芯片電連接，用于存儲預(yù)設(shè)及寫入的發(fā)光控制模式；

開關(guān)模塊，所述開關(guān)模塊與MCU芯片電連接，用于根據(jù)開關(guān)觸發(fā)信號切換MCU芯片的發(fā)光模式，以選出目標發(fā)光模式。

5.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)存發(fā)光控制電路，其特征在于，所述內(nèi)存發(fā)光控制電路還包括：

地址檢測模塊，所述地址檢測模塊分別與內(nèi)存條及MCU芯片電連接，以供MCU芯片識別對應(yīng)的內(nèi)存條，所述地址檢測模塊包括至少兩個地址檢測單元。

6.如權(quán)利要求5所述的內(nèi)存發(fā)光控制電路，其特征在于，所述地址檢測單元包括第二三極管、第十二電阻、第八電阻及第十五電阻，所述第二三極管的基極串接第十五電阻后接地，發(fā)射極接內(nèi)存條，集電極接MCU，且第十二電阻接于第二三極管的發(fā)射極與集電極之間，第八電阻的一端接預(yù)置電壓。

7.如權(quán)利要求6所述的內(nèi)存發(fā)光控制電路，其特征在于，所述發(fā)光控制模塊包括第一三極管、第七電阻，所述第一三極管的基極接MCU，集電極接內(nèi)存條的發(fā)光單元，發(fā)射極接預(yù)置電壓，所述第七電阻接于第一三極管的基極與發(fā)射極之間。

8.如權(quán)利要求7所述的內(nèi)存發(fā)光控制電路，其特征在于，所述發(fā)光單元包括LED三色發(fā)光模組、第一控制開關(guān)、第二控制開關(guān)、第三控制開關(guān)、第十八電阻、第二十電阻及第二十一電阻，所述第一控制開關(guān)通過第十八電阻接LED三色發(fā)光模組的第一引腳，第二控制開關(guān)通過第二十電阻接LED三色發(fā)光模組的第二引腳，第三控制開關(guān)通過第二十一電阻接LED三色發(fā)光模組的第三引腳。

9.如權(quán)利要求8所述的內(nèi)存發(fā)光控制電路，其特征在于，所述第一控制開關(guān)、第二控制開關(guān)及第三控制開關(guān)均為N溝道MOS管。