[實用新型]適用于低噪聲、寬動態范圍的高帶寬跨阻放大器

有效

• 申請號: 201721171029.1
• 申請日: 2017-09-13
• 公開（公告）號: CN207442795U
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 丁光彩;鐘英權
• 申請（專利權）人: 深圳市前海方成微電子有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F1/42;H03F3/08;H03F3/45;H03G3/30
• 代理公司: 上海一平知識產權代理有限公司 31266
• 代理人: 成春榮;竺云

1.一種適用于低噪聲、寬動態范圍的高帶寬跨阻放大器，其特征在于，包括：

N級級聯的可變增益放大電路，其中N為大于1的奇數；

在相鄰的兩級所述可變增益放大電路的輸出端之間分別跨接有可變電阻，用于實現所述放大器的增益調諧。

2.根據權利要求1所述的適用于低噪聲、寬動態范圍的高帶寬跨阻放大器，其特征在于，所述放大電路為一個NMOS管，所述放大器的增益由Gm*R決定，其中Gm為所述NMOS管的跨導，R為所述可變電阻的電阻值。

3.根據權利要求2所述的適用于低噪聲、寬動態范圍的高帶寬跨阻放大器，其特征在于，NMOS晶體管MN1、MN2、MN3的源極分別接地，所述MN1的柵極連接輸入端AMP_IN,漏極分別連接電流源Is1的正極、所述MN2的柵極和可變電阻R1的一端；所述MN2的漏極分別連接電流源Is2的正極、所述MN3的柵極、所述可變電阻R1另一端和可變電阻R2的一端；所述MN3的漏極分別連接電流源Is3的正極、所述可變電阻R2的另一端和輸出端AMP_OUT。

4.根據權利要求2所述的適用于低噪聲、寬動態范圍的高帶寬跨阻放大器，其特征在于，所述可變電阻的取值通過下列公式推導計算：

A0＝-gm_MN1*(R1-1/gm_MN2)*gm_MN3*(R2-1/gm_MN3)；

其中，其中A0為運放A(s)的直流增益，其中gm_MN1、gm_MN2、gm_MN3分別為MOS管MN1、MN2、MN3的跨導，R1、R2為跨接電阻R1、R2的阻值。

5.根據權利要求1所述的適用于低噪聲、寬動態范圍的高帶寬跨阻放大器，其特征在于，所述放大電路是PMOS晶體管。

6.根據權利要求1所述的適用于低噪聲、寬動態范圍的高帶寬跨阻放大器，其特征在于，所述放大電路是運算放大器。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的適用于低噪聲、寬動態范圍的高帶寬跨阻放大器，其特征在于，所述放大器的輸入端與所述放大器的輸出端之間設置有跨接電阻。

8.根據權利要求1-6中任一項所述的適用于低噪聲、寬動態范圍的高帶寬跨阻放大器，其特征在于，N＝3。

9.根據權利要求5所述的適用于低噪聲、寬動態范圍的高帶寬跨阻放大器，其特征在于，各所述PMOS晶體管的漏極接地，源極分別連接一個電流源和下一級PMOS晶體管的柵極，并在相鄰的兩級所述PMOS晶體管的輸出端之間分別跨接有可變電阻。

10.根據權利要求1-6中任一項所述的適用于低噪聲、寬動態范圍的高帶寬跨阻放大器，其特征在于，所述可變電阻是由電阻和MOS晶體管連接而成的結構。