[實(shí)用新型]儲(chǔ)能功率模塊系統(tǒng)及儲(chǔ)能逆變器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721162284.X
• 申請日: 2017-09-12
• 公開（公告）號: CN207200590U
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱景順;周飛;易頔;金成日
• 申請（專利權(quán)）人: 青海能高新能源有限公司
• 主分類號: H02M7/00
• 分類號: H02M7/00
• 代理公司: 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11371
• 代理人: 楊勇

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及儲(chǔ)能設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種儲(chǔ)能功率模塊系統(tǒng)及儲(chǔ)能逆變器。

背景技術(shù)

隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，社會(huì)的不斷進(jìn)步，能源的利用越來越高，再加上環(huán)境污染越來越嚴(yán)重，溫室效應(yīng)等問題，導(dǎo)致地球的能源越來越少，為克服能源危機(jī)，人們主要采用太陽能發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電。太陽能光發(fā)電，是指無需通過熱過程直接將光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿陌l(fā)電方式，太陽能光發(fā)電包括光伏發(fā)電、光化學(xué)發(fā)電、光感應(yīng)發(fā)電和光生物發(fā)電，光伏發(fā)電是利用太陽能級半導(dǎo)體電子器件有效地吸收太陽光輻射能，并使之轉(zhuǎn)變成電能的直接發(fā)電方式，是當(dāng)今太陽光發(fā)電的主流；在光化學(xué)發(fā)電中有電化學(xué)光伏電池、光電解電池和光催化電池，目前得到實(shí)際應(yīng)用的是光伏電池。風(fēng)力發(fā)電，是指把風(fēng)的動(dòng)能轉(zhuǎn)為機(jī)械動(dòng)能，再把機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電力動(dòng)能；由于風(fēng)是一種沒有公害的能源，利用風(fēng)力發(fā)電非常環(huán)保，且能夠產(chǎn)生的電能非常巨大。

當(dāng)前，太陽能發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電的發(fā)展迅猛，對發(fā)電設(shè)備的功率等級及功率密度的要求就越來越高。發(fā)電設(shè)備是以IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管為核心部件的功率單元作為變流器的關(guān)鍵部件，由于使用環(huán)境的特殊性，要求該部件的結(jié)構(gòu)緊湊、維護(hù)方便、功率密度高，因此，功率單元常被設(shè)計(jì)成一個(gè)功能完善的獨(dú)立單元。

但是，上述現(xiàn)有功率單元結(jié)構(gòu)上存在如下缺陷：直流濾波薄膜電容和散熱器均設(shè)置在直流復(fù)合母排的同一側(cè)，使用電解電容時(shí)，需要的電解電容的數(shù)量龐大，造成功率模塊的結(jié)構(gòu)龐大松散，使用薄膜電容時(shí)，由于薄膜電容的體積和重量較大，現(xiàn)有的IGBT模塊在結(jié)構(gòu)上很難將直流濾波薄膜電容與IGBT器件安裝在一起，造成直流濾波薄膜電容與IGBT元件之間雜散電感很大，容易產(chǎn)生過大的直流紋波電流，使直流濾波薄膜電容過載損壞；另外，由于現(xiàn)在功率模塊的功率密度很高，在使用風(fēng)冷設(shè)計(jì)的時(shí)候，很難同時(shí)滿足IGBT和直流濾波電容的散熱要求，從而導(dǎo)致直流濾波電容散熱效果不理想，導(dǎo)致其壽命降低，從而影響整個(gè)功率單元的使用。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種儲(chǔ)能功率模塊系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的，直流濾波薄膜電容和散熱器均設(shè)置在直流復(fù)合母排的同一側(cè)，IGBT模塊不能將直流濾波薄膜電容與IGBT器件安裝在一起，造成直流濾波薄膜電容與IGBT元件之間雜散電感很大，容易產(chǎn)生過大的直流紋波電流，直流濾波薄膜電容散熱不良，使直流濾波薄膜電容過載損壞的技術(shù)問題。

本實(shí)用新型還提供一種儲(chǔ)能逆變器，以解決現(xiàn)有技術(shù)中，直流濾波薄膜電容和散熱器均設(shè)置在直流復(fù)合母排的同一側(cè)，直流紋波電流過大、直流濾波薄膜電容散熱不良、壽命短的技術(shù)問題。

本實(shí)用新型提供的一種儲(chǔ)能功率模塊系統(tǒng)，包括散熱器、IGBT功率組件、銅排組、殼體、無感吸收電容、直流濾波薄膜電容、IGBT驅(qū)動(dòng)板和直流復(fù)合母排；

所述散熱器與所述殼體的第一側(cè)板連接，所述IGBT功率組件連接在所述散熱器的內(nèi)側(cè)面，所述銅排組連接在所述散熱器的內(nèi)側(cè)面，所述無感吸收電容連接在所述直流復(fù)合母排一端的一側(cè)面，所述散熱器連接在所述直流復(fù)合母排的一端，并設(shè)置在所述直流復(fù)合母排另一側(cè)面，所述直流濾波薄膜電容的一端連接在所述直流復(fù)合母排的一側(cè)面，所述直流濾波薄膜電容的另一端連接在所述殼體的第二側(cè)板上，所述IGBT驅(qū)動(dòng)板連接在所述殼體的內(nèi)側(cè)面；所述IGBT功率組件的交流端通過所述銅排組連接IGBT后匯集成一個(gè)接口與外部連接，所述IGBT功率組件的直流端通過所述直流復(fù)合母排與所述直流濾波薄膜電容連接。

進(jìn)一步的，所述IGBT功率組件包括多個(gè)IGBT模塊，多個(gè)所述IGBT模塊均布連接在所述散熱器的基板上。

進(jìn)一步的，所述無感吸收電容包括多個(gè)無感吸收電容模塊，多個(gè)所述無感吸收電容模塊均布連接在所述直流復(fù)合母排一端的一側(cè)面。

進(jìn)一步的，所述直流濾波薄膜電容包括多個(gè)直流濾波薄膜電容模塊，多個(gè)直流濾波薄膜電容模塊均布連接在所述直流復(fù)合母排的一側(cè)面，多個(gè)直流濾波薄膜電容模塊的引腳端與所述直流復(fù)合母排連接。

進(jìn)一步的，所述直流復(fù)合母排的另一端設(shè)有正極輸出端和負(fù)極輸出端，所述直流復(fù)合母排與所述IGBT功率組件連接。

進(jìn)一步的，所述正極輸出端和負(fù)極輸出端為相對應(yīng)的多對，并且所述正極輸出端和負(fù)極輸出端平齊設(shè)置。

進(jìn)一步的，所述直流復(fù)合母排的一側(cè)面連接有限位板，多個(gè)直流濾波薄膜電容模塊均布連接在所述限位板上，使所述限位板對多個(gè)直流濾波薄膜電容模塊的位置進(jìn)行限定。

進(jìn)一步的，所述殼體設(shè)有頂板和底板；