[實(shí)用新型]一種碲化鎘太陽能電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721160703.6 | 申請日: | 2017-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN207474484U | 公開(公告)日: | 2018-06-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周航;唐濤;梁軍 | 申請(專利權(quán))人: | 北京大學(xué)深圳研究生院 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/073 |
| 代理公司: | 北京卓嵐智財知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人: | 任漱晨 |
| 地址: | 518055 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 碲化鎘太陽能電池 沉積 碳納米管薄膜 二氧化錫 硫化鎘 碲化鎘 摻氟 延長使用壽命 本實(shí)用新型 碳納米管層 金屬電極 熱穩(wěn)定性 背電極 摻雜 電池 | ||
1.一種碲化鎘太陽能電池,其特征在于,所述碲化鎘太陽能電池包括:
摻氟的二氧化錫FTO導(dǎo)電玻璃;
硫化鎘CdS薄膜,沉積在摻氟的二氧化錫FTO導(dǎo)電玻璃上;
碲化鎘CdTe薄膜,沉積在硫化鎘CdS薄膜上;
碳納米管薄膜,沉積在碲化鎘CdTe薄膜上;
金屬電極,沉積在碳納米管薄膜上。
2.如權(quán)利要求1所述碲化鎘太陽能電池,其特征在于,所述硫化鎘CdS薄膜為n型硫化鎘CdS薄膜;
所述硫化鎘CdS薄膜采用磁控濺射方法沉積在二氧化錫FTO導(dǎo)電玻璃上。
3.如權(quán)利要求1所述碲化鎘太陽能電池,其特征在于,所述碲化鎘CdTe薄膜為p型碲化鎘CdTe薄膜;
所述碲化鎘CdTe薄膜采用磁控濺射方法沉積在硫化鎘CdS薄膜上。
4.如權(quán)利要求1所述碲化鎘太陽能電池,其特征在于,
在碳納米管薄膜上沉積的金屬電極為金Au電極或鎳電極,包括:采用電子束蒸發(fā)的方法在碳納米管薄膜上沉積金Au電極或鎳電極,電極厚度為40nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





