[實用新型]一種集成光學強電場傳感器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721159337.2
• 申請日: 2017-09-08
• 公開（公告）號: CN207164148U
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發(fā)明（設計）人: 胡上茂;蔡漢生;賈磊;劉剛;施健;馮賓;張義;廖民傳;胡泰山
• 申請（專利權(quán)）人: 南方電網(wǎng)科學研究院有限責任公司;中國南方電網(wǎng)有限責任公司電網(wǎng)技術(shù)研究中心
• 主分類號: G01R29/08
• 分類號: G01R29/08
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

1.一種集成光學強電場傳感器，其特征在于，包括：波導基片，所述波導基片上設置有光波導，所述波導基片與所述光波導的延伸方向垂直的兩端均設置有一個硅塊，每個所述硅塊上設置有V型槽，所述V型槽內(nèi)均粘接有裸光纖，一個所述硅塊的所述V型槽內(nèi)的所述裸光纖與所述光波導的一端對準，另一個所述硅塊的所述V型槽內(nèi)的所述裸光纖與所述光波導的另一端對準。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成光學強電場傳感器，其特征在于，所述硅塊通過紫外固化膠粘接在所述波導基片與所述光波導的延伸方向垂直的兩端。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成光學強電場傳感器，其特征在于，所述波導基片與所述光波導的延伸方向平行的兩端均設置有接觸電極，每個所述接觸電極均設置有天線基片。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成光學強電場傳感器，其特征在于，所述天線基片上設置有偶極子天線，所述偶極子天線與所述接觸電極電氣連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成光學強電場傳感器，其特征在于，所述偶極子天線的長度為2mm～5mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成光學強電場傳感器，其特征在于，所述天線基片為硅基片。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成光學強電場傳感器，其特征在于，所述集成光學強電場傳感器還包括墊片，所述波導基片和所述天線基片均固定在所述墊片上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成光學強電場傳感器，其特征在于，所述集成光學強電場傳感器還包括絕緣封裝殼，所述墊片通過硅膠粘接在所述絕緣封裝殼內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成光學強電場傳感器，其特征在于，所述波導基片為鈮酸鋰晶片，所述墊片為鈮酸鋰墊片。