[實用新型]一種半導體處理設備有效
| 申請號： | 201721149761.9 | 申請日： | 2017-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN207338298U | 公開（公告）日： | 2018-05-08 |
| 發明（設計）人： | 欒大為 | 申請（專利權）人： | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京思創畢升專利事務所 11218 | 代理人： | 孫向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 處理 設備 | ||
1.一種半導體處理設備，包括：
氣體輸送部件，其用于輸入反應氣體；
勻流腔，其與所述氣體輸送部件連接；
真空腔室，其與所述勻流腔連通，所述真空腔室內部設置有用于放置晶片的載臺；以及
噴頭，其設置在所述勻流腔和所述真空腔室的連通處；
其特征在于，所述噴頭上布置氣孔，并且所述噴頭朝向所述勻流腔的表面為中間凸起的弧面。
2.根據權利要求1所述的半導體處理設備，其特征在于，所述噴頭的弧面半徑的范圍為1320mm～1680mm。
3.根據權利要求1所述的半導體處理設備，其特征在于，所述噴頭上氣孔分布區域的直徑為280mm-300mm。
4.根據權利要求1所述的半導體處理設備，其特征在于，所述噴頭的最外側氣孔處的厚度為所述噴頭的中心氣孔處的厚度的一半。
5.根據權利要求1所述的半導體處理設備，其特征在于，在所述載臺的邊緣處設置有朝向所述真空腔室的側壁方向延伸的勻流擋板。
6.根據權利要求5所述的半導體處理設備，其特征在于，所述勻流擋板包括搭載在所述載臺邊緣的圓環部以及朝向所述真空腔室的側壁方向延伸的延伸部，所述延伸部為錐面結構，其錐面朝向所述噴頭所在的一側。
7.根據權利要求6所述的半導體處理設備，其特征在于，所述延伸部的錐面角度為20度。
8.根據權利要求6所述的半導體處理設備，其特征在于，所述勻流擋板的內徑大于所述噴頭上氣孔分布區域的直徑。
9.根據權利要求6所述的半導體處理設備，其特征在于，所述勻流擋板的外周與所述真空腔室的側壁的徑向距離的范圍為15mm-20mm。
10.根據權利要求6所述的半導體處理設備，其特征在于，所述勻流檔板的外周與所述真空腔室的側壁的徑向距離為所述勻流擋板的下沿與所述真空腔室的上壁的軸向距離的1/3。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京北方華創微電子裝備有限公司，未經北京北方華創微電子裝備有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201721149761.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種滾筒式碎骨機
- 下一篇：下電極濾波盒與靜電卡盤的連接裝置及等離子設備
