[實用新型]LC電路結構、低通/高通LC電路結構和數字移相器

有效

• 申請號: 201721147247.1
• 申請日: 2017-09-07
• 公開（公告）號: CN207441926U
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 劉潔儀;章國豪;林甲富;陳續威;陳哲
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: H01P1/18
• 分類號: H01P1/18;H01G4/40
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

本實用新型公開了一種LC電路結構，所述結構包括：相連的電容和電感，所述電感為第一單層微帶線，所述電容為沿一條直線間隔分布的第二單層微帶線和第三單層微帶線，所述第一單層微帶線和所述第二單層微帶線相連。在高頻段工作狀態下使用上述結構時，電感值更加精確，電容值可調節到極小狀態，同時又避免了電容擊穿情況的發生；并且，單層微帶線的使用減小了電路的體積，節約了生產成本。相應地，本實用新型公開的低通LC電路結構、高通LC電路結構和高低通數字移相器，也同樣具有上述技術效果。

技術領域

本實用新型涉及電路設計技術領域，更具體地說，涉及一種LC電路結構、低通/高通LC電路結構和數字移相器。

背景技術

目前，微波單片集成電路(MMIC)數字移相器在現代相控陣列雷達系統收發(T/R)組件中占據著重要地位，作為波束控制部件，MMIC數字移相器的工作狀態多，技術指標要求嚴格，隨著研究頻率的進一步升高，造成了MMIC 數字移相器設計和制作難度的加大。

對于大相位的移相器，一般采用高低通型結構。高低通型的數字移相器主要由開關LC電路結構構成，其中用T型LC電路結構構成移相器的高通狀態，用π型LC電路結構構成移相器的低通狀態。在傳統的LC電路結構中，集總原件的阻抗特性隨著頻率的升高而變化，其中，傳統電容在電流和電壓過大時，容易造成擊穿，而且當所需的電容值很小時，數值不穩定；螺旋電感在高頻段阻抗變化大，旋轉的面積無法確定，不適應高頻段工作。為了適應高頻段的工作狀態，技術人員采用雙層微帶線代替電容和電感，但是在實際的工程中，一般會對微帶線的最小長度和最小寬度有設定，當所需的電容值很小時，用雙層微帶線代替的電容難以調節電容值。

因此，如何為高低通數字移相器設計一種既適應高頻段工作，又可以調節電容值到極小狀態的LC電路結構，是本領域技術人員需要解決的問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種LC電路結構、低通/高通LC電路結構和數字移相器，以實現LC電路既適應高頻段工作，又可以調節電容值到極小狀態。

為實現上述目的，本實用新型實施例提供了如下技術方案：

一種LC電路結構，包括：相連的電容和電感，所述電感為第一單層微帶線，所述電容為沿一條直線間隔分布的第二單層微帶線和第三單層微帶線，所述第一單層微帶線和所述第二單層微帶線相連。

其中，所述電感為一條彎曲的單層微帶線。

其中，所述電容為沿一條直線間隔分布的第二單層微帶線和第三單層微帶線形成的雙金屬板帶隙電容，所述第二單層微帶線和所述第三單層微帶線的相對面分別作為所述電容的上金屬板和下金屬板。

其中，所述第二單層微帶線和所述第三單層微帶線的相對面之間的空氣作為所述電容的電介質。

一種低通LC電路結構，包括上述任意一項所述的LC電路結構。

一種高通LC電路結構，包括上述任意一項所述的LC電路結構。

一種高低通數字移相器，包括上述任意一項所述的LC電路結構。

通過以上方案可知，本實用新型實施例提供的一種LC電路結構，所述結構包括：相連的電容和電感，所述電感為第一單層微帶線，所述電容為沿一條直線間隔分布的第二單層微帶線和第三單層微帶線，所述第一單層微帶線和所述第二單層微帶線相連。

可見，本實用新型實施例提供的一種LC電路結構，用單層微帶線作為電感，在高頻段工作狀態下，電感值更加精確；用沿一條直線間隔分布的兩條單層微帶線作為電容，避免了電容擊穿情況的發生；如此設計了一種既適應高頻段工作，又可以調節電容值到極小狀態的LC電路結構；并且，單層微帶線的使用減小了電路的體積，節約了生產成本。相應地，本實用新型實施例提供的一種低通LC電路結構、高通LC電路結構和高低通數字移相器，也同樣具有上述技術效果。