[實用新型]肖特基器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201721146188.6
• 申請日: 2017-09-08
• 公開（公告）號: CN207303114U
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發(fā)明（設計）人: 周永昌;張永杰;陳偉鈿
• 申請（專利權）人: 華智科技（國際）有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 深圳市中聯(lián)專利代理有限公司44274
• 代理人: 郭翠霞

1.一種肖特基器件，包括：

第一導電類型的碳化硅SiC基底；

漂移層，所述漂移層由SiC形成且位于所述SiC基底上，所述漂移層具有第一導電類型，所述漂移層的雜質濃度低于所述SiC基底的雜質濃度，所述漂移層具有頂表面和底表面，所述底表面接觸所述SiC基底；

槽，所述槽從所述漂移層的頂表面朝向所述SiC基底延伸；

勢壘層，所述勢壘層具有與所述第一導電類型相反的第二導電類型，所述勢壘層接觸所述漂移層并且覆蓋所述槽的側壁和底壁；

導電材料，所述導電材料至少部分地填充所述槽并且接觸所述勢壘層；

第一電極，所述第一電極位于所述漂移層的頂表面上，所述第一電極與所述漂移層形成肖特基結，并且與所述勢壘層和所述導電材料形成低阻接觸；以及

第二電極，所述第二電極與所述SiC基底形成歐姆接觸。

2.根據權利要求1所述的肖特基器件，其特征在于，所述勢壘層具有摻雜輪廓，所述摻雜輪廓具有從所述漂移層朝向所述導電材料的增加的雜質濃度。

3.根據權利要求1所述的肖特基器件，其特征在于，所述勢壘層包括具有第一雜質濃度的緩沖結勢壘JB亞層和具有第二雜質濃度的JB層；以及

其中，所述緩沖JB亞層夾置于所述漂移層和所述JB層之間，并且所述第一雜質濃度低于所述第二雜質濃度。

4.根據權利要求3所述的肖特基器件，其特征在于，所述緩沖JB亞層的厚度為從300nm到1000nm，并且所述JB層的厚度為從200nm到1200nm。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的肖特基器件，其特征在于，所述第一導電類型是n型，所述第二導電類型是p型。

6.根據權利要求1-3中任一項所述的肖特基器件，其特征在于，所述槽的深度在1.5um到5.0um范圍，寬度在1.0um到3.0um范圍。

7.根據權利要求1-3中任一項所述的肖特基器件，其特征在于，所述漂移層的厚度等于或大于6.5um，其中所述勢壘層是外延層，所述外延層由選自于由氮化鎵GaN和碳化硅SiC組成的組中的一種或多種材料形成。

8.一種肖特基器件，包括：

第一導電類型的碳化硅SiC基底，所述SiC基底具有第一表面和第二表面；

第一導電類型的漂移層，所述漂移層具有頂表面和底表面，所述漂移層由SiC形成且設置在所述SiC基底上，所述底表面接觸所述SiC基底的第一表面，所述漂移層的雜質濃度低于所述SiC基底的雜質濃度；

槽，所述槽形成在所述漂移層中并且從所述漂移層的頂表面朝向所述SiC基底延伸；

第二導電類型的結勢壘JB區(qū)，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反，所述JB區(qū)從所述漂移層的頂表面朝向所述SiC基底延伸并且包圍所述槽；

第二導電類型的緩沖JB亞區(qū)，所述緩沖JB亞區(qū)從所述漂移層的頂表面朝向所述SiC基底延伸，所述緩沖JB亞區(qū)包圍所述JB區(qū)，具有橫向包圍尺寸和底部包圍尺寸，所述橫向包圍尺寸能獨立于所述底部包圍尺寸被調整；

導電材料，所述導電材料至少部分地填充所述槽并且接觸所述JB區(qū)；

第一金屬層，所述第一金屬層設置在所述漂移層的頂表面上，所述第一金屬層與所述漂移層形成肖特基結，與所述JB區(qū)和所述導電材料形成低阻接觸；以及

第二金屬層，所述第二金屬層接觸所述SiC基底的第二表面以與所述SiC基底形成歐姆接觸。

9.根據權利要求8所述的肖特基器件，其特征在于，所述JB區(qū)的雜質濃度高于所述緩沖JB亞區(qū)的雜質濃度。

10.根據權利要求8或9所述的肖特基器件，其特征在于，所述槽的深度在0.5um到1.5um范圍，寬度在0.5um到3.0um范圍。

11.根據權利要求8或9所述的肖特基器件，其特征在于，所述JB區(qū)延伸到所述槽的底部之下的深度范圍為0.8um到1.8um，所述JB區(qū)包圍所述槽的橫向包圍在0.25um到0.5um范圍。

12.根據權利要求8或9所述的肖特基器件，其特征在于，所述緩沖JB亞區(qū)在所述槽的底部之下延伸的深度范圍為1.1um到2.4um，所述緩沖JB亞區(qū)包圍所述JB區(qū)的橫向包圍在0.25um到0.5um范圍。