[實用新型]顯示基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201721143201.2 | 申請日: | 2017-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN207303093U | 公開(公告)日: | 2018-05-01 |
| 發明(設計)人: | 謝蒂旎;李偉 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人: | 汪源,陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,特別涉及一種顯示基板和顯示裝置。
背景技術
在有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡稱OLED)顯示面板中設置有像素界定層(Pixel Defining Layer,簡稱PDL),PDL限定出像素區域,像素區域中設置有發光功能層。在形成PDL的過程中,PDL材料中的亞克力/PI材料沉積在下面形成PDL下層結構,而PDL材料中的含氟樹脂材料則上浮至表面形成了PDL上層結構。PDL下層結構的材料是親水性的,而PDL上層結構的材料是疏水性的。
發光功能層可包括依次設置的空穴注入層、空穴傳輸層、電致發光層、電子傳輸層和電子注入層。以空穴注入層為例,由于空穴注入層的材料也是親水性的,因此在隨后的空穴注入層的沉積過程中,空穴注入層與PDL下層結構的側面會發生浸潤現象,空穴注入層在浸潤作用下會沿著PDL下層結構的側面向上攀爬,直至到達PDL下層結構和PDL上層結構的界面為止。這使得空穴注入層的形狀發生了彎曲,導致空穴注入層的厚度不均。同理,其余各個發光功能層也存在厚度不均的問題。
綜上,發光功能層的厚度不均,導致發光功能層的發光不均勻,從而導致像素內部發光的不均勻(主要是像素邊緣區域發光不均勻),進而影響OLED器件的發光性能。
實用新型內容
本實用新型提供一種顯示基板和顯示裝置,用于避免發光功能層發光不均勻的問題,從而提高OLED器件的發光性能。
為實現上述目的,本實用新型提供了一種顯示基板,包括:襯底基板和位于所述襯底基板上的第一電極和第二電極,所述第二電極位于所述第一電極的遠離所述襯底基板的一側,第一電極和所述第二電極之間設置有像素界定層和發光功能層,所述像素界定層限定出像素區域,與所述像素區域對應位置設置有凹陷結構,所述發光功能層位于所述像素區域中,所述發光功能層的靠近所述襯底基板一側的結構位于所述凹陷結構中。
可選地,還包括絕緣層,所述絕緣層位于所述第一電極的靠近所述襯底基板的一側;
所述凹陷結構位于所述絕緣層的與所述像素區域對應位置。
可選地,所述凹陷結構的中間位置的深度大于邊緣位置的深度。
可選地,所述凹陷結構的表面為弧面。
可選地,所述發光功能層包括多個子發光功能層,靠近所述第一電極設置的所述子發光功能層的靠近所述襯底基板一側的結構位于所述凹陷結構中。
可選地,所述多個子發光功能層分別為依次設置的空穴注入層、空穴傳輸層、電致發光層、電子傳輸層和電子注入層,所述空穴注入層靠近所述第一電極設置,所述空穴注入層的靠近所述襯底基板一側的部分結構位于所述凹陷結構中。
可選地,所述子發光功能層的各個位置的厚度的差值范圍為0nm至100nm。
可選地,所述子發光功能層的各個位置的厚度相同。
為實現上述目的,本實用新型提供了一種顯示裝置,包括上述顯示基板。
為實現上述目的,本實用新型提供了一種顯示基板的制造方法,包括:
在襯底基板上形成第一電極;
在所述第一電極的遠離所述襯底基板的一側形成像素界定層,所述像素界定層限定出像素區域,與所述像素區域對應位置設置有凹陷結構;
在所述像素區域中形成發光功能層,所述發光功能層的靠近所述襯底基板一側的部分結構位于所述凹陷結構中。
可選地,所述在襯底基板上形成第一電極之前包括:
在所述襯底基板之上形成絕緣層,所述絕緣層位于所述第一電極的靠近所述襯底基板的一側;
在所述絕緣層上形成所述凹陷結構,所述凹陷結構位于所述絕緣層的與所述像素區域對應位置。
可選地,所述在襯底基板之上形成絕緣層之前還包括:在所述襯底基板之上形成薄膜晶體管,所述絕緣層位于所述薄膜晶體管之上;
所述在所述絕緣層上形成凹陷結構的同時還包括:在所述絕緣層上形成過孔,所述第一電極通過所述過孔和所述薄膜晶體管連接。
本實用新型具有以下有益效果:
本實用新型提供的顯示基板和顯示裝置的技術方案中,發光功能層的靠近襯底基板一側的結構位于凹陷結構中,使得發光功能層的厚度均勻,避免了發光功能層發光不均勻的問題,從而提高了OLED器件的發光性能。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例一提供的一種顯示基板的結構示意圖;
圖2為圖1中凹陷結構的示意圖;
圖3為實施例一中OLED器件結構的示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





