[實(shí)用新型]中子捕獲治療系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201721141409.0
• 申請(qǐng)日: 2017-09-07
• 公開（公告）號(hào): CN208114946U
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉淵豪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京中硼聯(lián)康醫(yī)療科技有限公司
• 主分類號(hào): A61N5/10
• 分類號(hào): A61N5/10
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種中子捕獲治療系統(tǒng)，包括加速器、射束傳輸部和第一中子束生成部，所述加速器對(duì)帶電粒子進(jìn)行加速產(chǎn)生帶電粒子束，所述射束傳輸部將所述加速器產(chǎn)生的帶電粒子束傳輸至所述第一中子束生成部，所述第一中子束生成部產(chǎn)生治療用中子束，其特征在于，所述第一中子束生成部和所述加速器之間設(shè)置第一屏蔽壁，以免于操作人員在加速器檢修和維護(hù)時(shí)受到從第一中子束生成部泄漏的中子及其他輻射線的照射和降低加速器被活化的反應(yīng)。

2.如權(quán)利要求1所述的中子捕獲治療系統(tǒng)，其特征在于，所述中子捕獲治療系統(tǒng)還包括治療臺(tái)，所述第一中子束生成部包括靶材、射束整形體和準(zhǔn)直器，所述靶材設(shè)置在所述射束傳輸部和所述射束整形體之間，所述加速器產(chǎn)生的帶電粒子束經(jīng)所述射束傳輸部照射到所述靶材并與所述靶材作用產(chǎn)生中子，所述產(chǎn)生的中子依次通過(guò)所述射束整形體和準(zhǔn)直器形成治療用中子束并照射向所述治療臺(tái)上的患者。

3.如權(quán)利要求2所述的中子捕獲治療系統(tǒng)，其特征在于，所述射束整形體包括反射體、緩速體、熱中子吸收體、輻射屏蔽體和射束出口，所述緩速體將自所述靶材產(chǎn)生的中子減速至超熱中子能區(qū)，所述反射體包圍所述緩速體并將偏離的中子導(dǎo)回至所述緩速體以提高超熱中子射束強(qiáng)度，所述熱中子吸收體用于吸收熱中子以避免治療時(shí)與淺層正常組織造成過(guò)多劑量，所述輻射屏蔽體圍繞所述射束出口設(shè)置在所述反射體后部用于屏蔽滲漏的中子和光子以減少非照射區(qū)的正常組織劑量，所述準(zhǔn)直器設(shè)置在所述射束出口后部以匯聚中子束，所述患者和射束出口之間設(shè)置輻射屏蔽裝置以屏蔽從所述射束出口出來(lái)的射束對(duì)患者正常組織的輻射。

4.如權(quán)利要求3所述的中子捕獲治療系統(tǒng)，其特征在于，所述射束傳輸部具有對(duì)帶電粒子束進(jìn)行加速或傳輸?shù)恼婵展?，所述真空管沿帶電粒子束方向伸入所述射束整形體，并依次穿過(guò)所述反射體和緩速體，所述靶材設(shè)置在所述緩速體內(nèi)并位于所述真空管的端部。

5.如權(quán)利要求1所述的中子捕獲治療系統(tǒng)，其特征在于，所述中子捕獲治療系統(tǒng)還包括帶電粒子束生成室和第一照射室，所述帶電粒子束生成室容納所述加速器和至少部分所述射束傳輸部，患者在所述第一照射室中進(jìn)行中子束照射的治療，所述第一中子束生成部的至少一部分埋入于所述第一照射室和帶電粒子束生成室的第一分隔壁，所述第一屏蔽壁設(shè)置在所述帶電粒子束生成室內(nèi)。

6.如權(quán)利要求5所述的中子捕獲治療系統(tǒng)，其特征在于，所述帶電粒子束生成室包括加速器室和射束傳輸室，所述射束傳輸部包括與所述加速器連接并從所述加速器室延伸到所述射束傳輸室的第一傳輸部和從所述射束傳輸室延伸到所述第一中子束生成部并將帶電粒子束傳輸?shù)剿龅谝恢凶邮刹康牡诙鬏敳?，所述第一分隔壁為所述第一照射室和射束傳輸室的分隔壁，所述第一屏蔽壁為所述加速器室和所述射束傳輸室之間的分隔壁，所述第一傳輸部穿過(guò)所述第一屏蔽壁。

7.如權(quán)利要求6所述的中子捕獲治療系統(tǒng)，其特征在于，所述第一傳輸部包括切換帶電粒子束行進(jìn)方向的第一、第二射束方向切換器、連接所述加速器和第一射束方向切換器的第三傳輸部、連接所述第一、第二射束方向切換器的第四傳輸部和連接所述第二傳輸部和所述第二射束方向切換器的第五傳輸部，所述第一屏蔽壁設(shè)置在所述加速器和所述第一射束方向切換器之間，所述第三傳輸部穿過(guò)所述第一屏蔽壁；或所述第一屏蔽壁設(shè)置在所述第二射束方向切換器和所述第一中子束生成部之間，所述第五傳輸部穿過(guò)所述第一屏蔽壁；或所述第一屏蔽壁設(shè)置在所述第一、第二射束方向切換器之間，所述第四傳輸部穿過(guò)所述第一屏蔽壁。