[實用新型]LED顯示設備有效
| 申請號: | 201721137897.8 | 申請日: | 2017-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN207409488U | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發明(設計)人: | 嚴光能;嚴松濤 | 申請(專利權)人: | 嚴光能;楊保證 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/62;G09F9/33 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 羅磊 |
| 地址: | 529600 廣東省陽江市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 本實用新型 非驅動區域 驅動區域 子像素 像素驅動電路 接觸電極 開口平面 顯示功能 行列掃描 復數 基底 齊平 像素 尋址 發光 背離 | ||
1.一種LED顯示設備,包括顯示基底和以復數設置在所述顯示基底上的顯示單元,每個所述顯示單元包括一個或多個子像素,每個所述子像素包括驅動區域和非驅動區域,其特征在于,在所述子像素的驅動區域設置有薄膜晶體管,在所述子像素的非驅動區域設置有凹槽,所述凹槽內設置有LED,所述LED包括一第一接觸電極,所述薄膜晶體管與所述LED的第一接觸電極連接。
2.如權利要求1所述的LED顯示設備,其特征在于,所述LED背離所述凹槽底面的表面與所述凹槽開口處的平面齊平,所述凹槽的深度范圍是20~150微米。
3.如權利要求1所述的LED顯示設備,其特征在于,所述LED顯示設備還包括第一平坦化層和在所述第一平坦化層上形成的第一電極,所述第一平坦化層覆蓋所述薄膜晶體管、所述凹槽以及所述LED,所述第一電極通過設置于所述第一平坦化層中的第一接觸孔與所述薄膜晶體管接觸,所述第一電極還通過形成于所述第一平坦化層中的第二接觸孔與所述LED的第一接觸電極接觸。
4.如權利要求3所述的LED顯示設備,其特征在于,所述LED還具有第二接觸電極和襯底層,并且所述第一接觸電極和第二接觸電極位于所述襯底層的同側。
5.如權利要求4所述的LED顯示設備,其特征在于,所述LED顯示設備還包括第二平坦化層和在所述第二平坦化層上形成的第二電極,所述第二平坦化層覆蓋所述第一平坦化層以及所述第一電極,所述第二電極通過設置于所述第二平坦化層和第一平坦化層中的第三接觸孔與所述LED的第二接觸電極連接。
6.如權利要求1~3中的任一項所述的LED顯示設備,其特征在于,所述LED還具有第二接觸電極和襯底層,并且所述第一接觸電極和第二接觸電極位于所述襯底層的兩側。
7.如權利要求6所述的LED顯示設備,其特征在于,還設置有覆蓋層以及第二電極,所述覆蓋層覆蓋所述凹槽的內表面以及薄膜晶體管,所述第二電極設置在所述凹槽的底面的覆蓋層表面,并且所述第二電極與所述LED的第二接觸電極接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





